Дослідження вольт-амперних характеристик біполярних транзисторів, страница 4

ris39b

б)

Рисунок 2.5 – Схема  для дослідження вхідної ВАХ для схеми с СЕ для транзисторів структури p-n-p

Таблиця 3.4 Відповідність струму бази IБ  напрузі база-емітер UБЕ   при фіксованому значенні напруги колектор-емітер UКЕ (для n-p-n транзистора)

  UКЕ

UБЕ, В

0

0,4

0,6

0,8

1,0

1,2

0

IБ, мА

139,1

210,1

263,4

2,19

16,52

17,25

5

IБ, мА

50,97

357,5

561,8

766,2

9,07

17,56

10

IБ, мА

44,2104

516,9

739,3

710,2

9,15

10,73