Исследование вольтамперных характеристик полевых транзисторов, страница 5

Рисунок 3.6 Выходные характеристики МДП транзистора IС=f(UСИ) при UЗИ=const

Исследование передаточной характеристики МДП транзистора с инуцированным каналом

Рисунок 3.7 – Схема для снятия передаточной характеристики МДП p- канальных транзисторов

Таблица 3.5 Соответствие силы тока стока IС напряжению затвор-исток UЗИ при фиксированном значении напряжения  UСИ для транзистора с каналом p- типа

UСИ = -10В

UЗИ, В

0

-2,5

-5

-7,5

-10

,

-12,5

-15

IС, мА

0

-55

-357

-803

-1307

-1722

-1931

UСИ = -20В

UЗИ, В

0

-2,5

-5

-7,5

-10

,

-12,5

-15

IС, мА

0

-42

-358

-803

-1311

-1859

-2432