Лабораторная работа №10
«Исследование полевого транзистора»
«Исследование управляющих характеристик полевого транзистора с p‑n‑затвором и каналом n‑типа»
|
Uси, В |
Uзи, В |
Iс, мА |
|
8 |
0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 |
3,7 6,47 6,16 5,74 5,21 4,63 |
Вывод: Управляющие характеристик полевого транзистора с p‑n‑затвором и каналом n‑типа, включённые по схеме с общим истоком, показывают, что с увеличением напряжения на затворе увеличивается входной ток Iс полевого транзистора. Ток Iс слабо зависит от Uси.
Лабораторная работа №11
«Исследование выходных характеристик полевого транзистора с p‑n‑затвором и каналом n‑типа, включённого по схеме с общим истоком»
|
Uзи, В |
Uси, В |
Iс, мА |
Uзи, В |
Uси, В |
Iс, мА |
|
0 |
1 2,1 3 4 5 |
0,92 1,77 2,46 3,42 4,02 |
1 |
0 1 2,3 3,2 4,1 |
0 0,78 1,69 2,24 2,73 |
Вывод: выходные (стоковые) характеристики полевого транзистора p‑n‑типа с каналом n‑типа, включённого по схеме с общим истоком, показывают, что с увеличением выходного напряжения Uси выходной ток Iс сначала растёт быстро, а затем это нарастание замедляется и почти совсем прекращается, т. е. наступает явление, напоминающее насыщение. Это объясняется тем, что при повышении напряжения Uси ток Iс должен увеличиваться, но так как одновременно повышается обратное напряжение на p‑n‑переходе, то запирающий слой расширяется, канал сужается, его сопротивление возрастает и за счёт этого ток Iс должен уменьшиться.
Уважаемый посетитель!
Чтобы распечатать файл, скачайте его (в формате Word).
Ссылка на скачивание - внизу страницы.