Исследование вольт-амперной характеристики диода

Страницы работы

Содержание работы

Лабораторная работа №1

Исследование
вольт-амперной характеристики диода

Цель работы: экспериментальное исследование и анализ вольт-амперных характеристик, определение параметров диодов.

   Принципиальная схема исследования прямой ветви ВАХ диода

                                         

                                                               Рисунок 1 – Схема исследования прямой ветви ВАХ диода

Принципиальная схема исследования обратной ветви ВАХ диода

                                         

Рисунок 2 – Схема обратной ветви ВАХ диода

Таблица 1 – Результаты измерений ВАХ диодов

Результаты измерений для VD1

Результаты измерений для VD2

Прямая ветвь

Обратная ветвь

Прямая ветвь

Обратная ветвь

Iпр, мА

Uпр, В

Iобр, нА

Uобр, В

Iпр, мА

Uпр, В

Iобр, нА

Uобр, В

0

0

0

0

0

0

0

0

10

0.678

0.91

2

10

0.93

1

1

20

0.9

1

4

20

1.23

1.5

3.4

30

1.070

2

6

30

1.47

2

7.3

40

1.195

4.2

8

40

1.7

2.1

12

50

1.396

5

10

50

1.94

8

12

Рисунок 3-4 – Оси ВАХ германиевого диода

Рисунок 5-6 – Оси ВАХ кремниевого диода

Таблица 2 – Зависимость сопротивления от напряжения на диоде

Результаты расчета для VD1

Результаты расчета для VD2

Прямая ветвь

Обратная ветвь

Прямая ветвь

Обратная ветвь

Uпр, В

Rпр, Ом

Rдиф пр, Ом

Uобр, В

Rобр, МОм

Rдиф обр, МОм

Uпр, В

Rпр, Ом

Rдиф пр, Ом

Uобр, В

Rобр, МОм

Rдиф обр, МОм

0.678

67.8

100

2

2198

2000

0.93

93

133,33

1

1000

833

0.9

45

58,33

4

4000

3158

1.23

61.5

75,86

3,4

2266

1786

1.070

35.66

42,10

6

3000

3448

1.47

49

52,34

7,3

3650

3333

1.195

29.88

30

8

1905

2121

1.7

42.5

45,71

12

5714

4761

1.396

27.92

25,56

10

2000

1617

1.94

38.8

42,25

Рисунок 7-8 – зависимости статического и дифференциального сопротивлений от напряжения на диоде

Рисунок 9-10 – зависимости статического и дифференциального сопротивлений от напряжения на диоде

Ответ на контрольный вопрос:

   Классификация выпрямительных диодов по частоте : низкочастотные (fmax < 10^3 Гц) и высокочастотные (fmax > 10^3 Гц).

Выводы:

Экспериментально исследовали режим работы диода. В работе сравнивали диоды на германиевой (VD1) и кремниевой основе (VD2), при подключении прямого и обратного напряжения. Из графиков видно, что ВАХ германиевого диода круче, чем кремниевого, что объясняется их физическими свойствами:  ширина запрещенной зоны у кремния больше, чем у германия. Из Таблицы 1 видно, что у германиевых диодов больший обратный ток, поэтому тепловой пробой у них наступит раньше.

Прямое статическое сопротивление обоих диодов больше чем, диффузионное, что объясняется инерционностью процессов в диоде. Обратное напряжение настолько велико, что проводимостью можно пренебречь. Сопротивление германиевого диода больше, чем кремниевого.   

Похожие материалы

Информация о работе

Тип:
Отчеты по лабораторным работам
Размер файла:
117 Kb
Скачали:
0