Полупроводниковые диоды, отчет по лабораторной работе, страница 3

Рисунок 1.2 – Схема для исследования обратной цепи ВАХ диода

Таблица 1.3 – Точки для обратной ветви ВАХ диода

E1,В

0

- 10

- 20

- 30

- 40

- 50

- 60

Uобр,мВ

Iобр,мА

По данным из таблиц 1.2, 1.3 строим графики  и .

Исследование импульсного режима работы диода

Собираем схему, приведенную на рис.1.3. Задаём следующие параметры функционального генератора (форма импульсов – прямоугольные): Frequency – 5 МHz, Duty cycle – 50%, Amplitude  – 5 В, Offset – 0 В.

Настройки осциллографа: развертка – 0.05 мкс/д (Y/T), X position=0.20,  Чувствительность по каналу А – 5 В/д (Y position=0.00), режим DC. Чувствительность по каналу В – 10мВ/д  (Y position=2.00), режим DC. Синхронизация в режиме EXT,  задним фронтом импульса.

Рисунок 1.3 – Схема исследования импульсного режима работы диода

Включаем режим моделирования на 20 секунд. Включив расширенный режим шкалы осциллографа. Уменьшая цену деления шкалы временной развертки осциллографа (возможно, до нескольких наносекунд), получаем графики напряжения на диоде и тока через диод.