Зонная диаграмма полупроводника n-типа и p-типа. Изменение избыточной концентрации носителей заряда во времени и в пространстве

Страницы работы

1 страница (Word-файл)

Содержание работы

    

Рис. 1.5. Зонная диаграмма полупроводника n-типа (слева)

Рис. 1.6. Зонная диаграмма полупроводника p-типа (справа)

Концентрация основных носителей для примесного полупроводника n-типа (аналогично и для p-типа) определяется как

nnpn = nipi = ni2  = pi2                              (12)

Удельная проводимость примесных полупроводников (если пренебречь проводимостью в них за счет неосновных носителей) для полупроводников n-типа и р-типа равна

sn = nne mn и sp = npe mp                       (13)

где nn и np, соответственно, концентрация основных носителей для полупроводников n-типа и р-типа.

Плотность диффузионного тока (iдиф) определяется следующими формулами:

Jnдиф = eDnDn/Dx и Jpдиф = - eDpDp/Dx             (14)

где величины: Dn/Dx и Dp/Dx - являются так называемыми градиентами концентрации, a Dn и Dpкоэффициентами диффузии.

  

Рис. 1.7. Изменение избыточной концентрации носителей заряда (а) во времени и (б) в пространстве

Похожие материалы

Информация о работе