Снятие и анализ характеристик полевого транзистора

Страницы работы

Фрагмент текста работы

транзистора, имеют два участка: крутой и пологий; последний используется при работе транзистора в усилительных устройствах, в то время как начальный  крутой участок характеристик — при их работе в переключательных устройствах.

Предельные частоты, на которых могут работать полевые транзисторы, весьма высоки. Основным ограничительным фактором здесь является емкость р-п перехода, площадь которого сравнительно велика. Выпускаемые промышленностью полевые транзисторы с р-п переходом способны работать в мегагерцевом диапазоне частот.


Экспериментальная часть

Требования по безопасности труда

1.Не включать лабораторный стенд без проверки преподавателем схемы соединений.

2.При переключении измерительных приборов в ходе работы выключать тумблер СЕТЬ.

Порядок выполнения работы

1.Отключить все приборы стенда переводом тумблеров (ГПИ, ГНЧ, ГВЧ, АВО, МВ, ЧМ, СЕТЬ на блоке питания) в нижнее положение.

2.Для снятия выходной статической характеристики полевого транзистора в соответствии со схемой (рис.3) электрической принципиальной произвести монтаж электросхемы:

подключить АВМ1 к Р1, переключатель пределов АВМ1 установить в положение 1В;

использовать ИВ в качестве Р3, переключатель рода работы ИВ установить в положение –25В, ГН2;

подключить АВМ2 к Р2, переключатель пределов АВМ2 установить в положение 5мА;

подключить G1 к ГН1 на блоке питания;

подключить G2 к ГН2 на блоке питания;

вставить в  соответствующие гнёзда съёмный элемент – полевой транзистор КП103.

Включить тумблер в СЕТЬ.

2. Снять выходную статическую характеристику полевого транзистора

IС=f(UСИ)    приUЗИ=const.

UЗИустанавливать регулятором ГН1 в соответствии со значениями табл.1.

Овал: А                                                              Р2

 


G2

 
                VT1                                                                            - 

Овал: V   +                                                                    Р3                         

G1

 
Овал: V  

                                                                                                   +

   _                   Р1                                                                             

  

рис.3

Напряжение UСИ изменять регулятором ГН2 по значениям табл.1.

Результат измерения IС занести в табл.1.

         Таблица1.

UСИ

UЗИ=0

UЗИ=0.3 В

UЗИ=0.5 В

IС, мА

IС, мА

IС, мА

0

2

4

6

8

10

12

14

3. Снять переходную характеристику полевого транзистора

Ic=f(Uзипри  Uси=const.

Напряжение Uси устанавливать регулятором ГН2 в соответствии со значениями табл.2.

Напряжение Uзи изменять регулятором ГН1 в соответствии со значениями табл.2. Результат измерения тока Ic занести в табл.2.

                      Таблица 2.

UЗИ

UСИ=-5 В

UСИ=-10 В

UС=-14 В

IС, мА

IС, мА

IС, мА

0

0,1

0,2

.

.

0,7

Обработка результатов измерений

1.  Построить выходную характеристику полевого транзистора по данным таблицы 1                          IС=f(UСИ при  UЗИ=const.

2.  На построенной характеристике (рис.4.) выбрать точку А в соответствии с вариантом табл.3 и определить

S=DIС / DUЗИ=A¢A / (0.5-0.3)е S – крутизна характеристики, мА/В.

        Таблица 3

№ варианта

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

11

12

13

14

15

UСИ

-10

-7

-8

-9

-8

-5

-4

-5

-6

-4

-8

-6

-9

-10

-6

UЗИ

0

0,3

0,5

0

0,5

0,3

0

0

0,5

0,3

0

0,3

0

0,3

0,5

                                       Ic/мА                   Ic/мА

Vзи= 0В

                                                                                                    Vси= -14В

Vзи= 0.3В

                              А’                   DIc                           С             Vси= -10В

Vзи= 0.5В С                                               DIc  

             В                                      DIc                                                                              Vси= -5В

Vзи=0.7В                 А                                             B              A

                                                                                                                                       Vзи/В  

Vси/В            DVси                                                                          DVзи                           Vзи.отс

                                      Рис.4             Рис.5

3.  Определить для указанной выше точки по характеристическому DАВС

RВЫХ = DUСИ/DI¢С=AB/BC ,

где RВЫХ– выходное сопротивление, кОм.

4. Построить линию предельной мощности  Рс на выходных характеристиках.

5. По данным табл.2. построить переходную характеристику

IС=f(UЗИ)     при UСИ=const.

6. На построенной характеристике (рис.5) выбрать точку А в соответствии с вариантом табл.4 и определить

S=DIС / DUЗИ=BC/AB ,

где S- крутизна характеристики, мА/В.

 7.Вычислить статический коэффициент усилителя  m

m=SRВЫХ

      Таблица 4

Номер
Варианта

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

11

12

13

14

15

UСИ

-5

-10

-14

-5

-10

-14

-5

-10

-14

-5

-10

-14

-5

-10

-14

UЗИ

0.2

0.4

0.5

0.3

0.4

0.2

0.3

0.4

0.5

0.4

0.3

0.5

0.4

0.3

0.5

Контрольные вопросы

Вопросы для предварительного опроса:

1.  Нарисовать электрическую схему для снятия характеристик полевого транзистора.

2.  Нарисовать выходную статистическую характеристику полевого транзистора.

3.  Нарисовать переходную характеристику полевого транзистора.

4.  Нарисовать графическое обозначение полевого транзистора с p и n каналами.

5.  Маркировка полевых транзисторов.

Вопросы при защите работы:

1.  Объясните устройство и принцип действия полевого канального транзистора.

2.  Схемы включения полевого транзистора.

3.  Основные характеристики полевого транзистора.

4.  Режимы работы полевого транзистора

5.  Основные параметры полевого транзистора и их определение.

6.  Какое напряжение для полевого транзистора называется напряжением отсечки?

7.  Области применения полевого  канального транзистора.

8.  Достоинства и недостатки полевого транзистора.

9.  Что такое МДП-транзисторы?

10. Устройство, принцип действия, обозначение в схеме МДП  со встроенным

Похожие материалы

Информация о работе

Предмет:
Электроника
Тип:
Методические указания и пособия
Размер файла:
108 Kb
Скачали:
0