Электротехника \ Электроника

Изучение входных и выходных характеристик биполярного транзистора с n-p-n переходом в схеме с общим эмиттером

Страницы работы

4 страницы (Word-файл)
Скачать файл

Содержание работы

Министерство образования и науки РФ

Федеральное агентство по образованию

Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования

НОВОСИБИРСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ

ЭЛЕКТРОНИКА

Лабораторная работа №2

Биполярные транзисторы

Вариант 5


Факультет: АВТ

Группа: АА-86

Выполнили:

Бадмажапов Б.

Сапрыкин О.

Суворов Д.

Проверил:  Жуков А.Б.


Новосибирск

2010


Цель  работы: Изучить входные и выходные характеристики биполярного транзистора с n-p-n переходом в схеме с общим эмиттером.

1.  Входные характеристики транзистора

Безымянный.jpg

Uкэ, В

0

Iб,мА

0

0,1

0,2

0,3

0,4

0,5

Uбэ,В

0

0,02414

0,03658

0,04506

0,05154

0,05680

1

Iб,мА

0

0,1

0,2

0,3

0,4

0,5

Uбэ,В

0,1054

0,135

0,1526

0,1662

0,1775

0,1875

8

Iб,мА

0

0,1

0,2

0,3

0,4

0,5

Uбэ,В

0,1056

0,1356

0,1536

0,1675

0,1792

0,1895

Подпись:

Рабочая точка:

Uкэ=8 В, Iб=0,3 мА

R=U/I=0,1675/0,3*1000 = 558,3 Ом

r=ctgα=(0,1675-0,132)/0,3*1000= 118,3 Ом


  1. Выходные характеристики транзистора

Iб, мА

Uкэ, В

0

0,01

0,02

0,05

0,1

0,2

0,5

1

2

5

10

0,1

Iк, мА

-0,09786

0,03857

0,2329

1,389

6,272

14,02

14,53

14,60

14,75

15,19

15,92

0,2

Iк, мА

-0,1955

0,02151

0,3289

2,121

9,365

21,82

22,81

22,93

23,16

23,85

25,00

0,3

Iк, мА

-0,2930

0,00342

0,4208

2,808

12,09

29,19

30,80

30,96

31,27

32,20

33,76

0,4

Iк, мА

-0,3902

-0,01569

0,5088

3,456

14,52

36,11

38,53

38,72

39,11

40,28

42,23

0,5

Iк, мА

-0,4873

-0,03577

0,5931

4,068

16,71

42,60

46,02

46,25

46,71

48,11

50,43

0

Iк, мА

0

0,05455

0,1327

0,6083

2,717

5,753

5,922

5,952

6,011

6,189

6,485

Подпись:

Рабочая точка:

Uкэ=5 В, Iб=0,3 мА

Rвых=Uкэ/Iк=8/32,20*1000 = 248,5 Ом

r=ctgα=(10-5)/(33,76-32,20)*1000 = 3205 Ом

β ~ 101


Вывод. В ходе данной лабораторной работы мы изучили входные и выходные характеристики биполярных транзисторов на примере транзистора с n-p-n переходом в схеме с общим эмиттером. На основе экспериментально снятых измерений построили ВАХ биполярного транзистора для входных и выходных характеристик. Нашли входное и выходное сопротивление постоянному и переменному току.

Похожие материалы

Информация о работе

ВУЗ:
Новосибирский государственный технический университет (НГТУ)
Предмет:
Электроника
Тип:
Отчеты по лабораторным работам
Категория:
Электротехника (Технические предметы)
Размер файла:
99 Kb
Скачали:
0
Скачать файл