Реле понижения частоты: Методические указания к лабораторной работе № 6 по релейной защите, страница 3

                  Рис.2. Упрощенная принципиальная схема реле РЧ-1.

      Реле (рис.7) работает следующим образом. Реле включается в сеть через разделительный трансформатор Тр. Дроссель 3Др и конденсатор 1С образует фильтр высших гармонических Ф. Дроссель 1Др, конденсаторы 4С и 5С, а также резистор R3 образуют фазосдвигающую цепь частотно-зависимого элемента, а резисторы R4 и R5 -- активный делитель фазосдвигающей схемы.

     Частота срабатывания реле устанавливается ступенчато, через 1 Гц, переключением числа витков дросселя 1Др и плавно, в пределах 1 Гц, резистором 1R. Разница между частотой срабатывания и возврата реле не превышает 0,1 Гц. Однако в ряде случаев, например при второй очереди АЧР, частота возврата должна отличаться более значительно. Для этого в схему реле введен второй частотно-зависимый элемент, фазосдвигающая цепь которого образована дросселем 3Др, конденсаторами 2С и 3С и резистором R2. Цепь также выведена на зажимы реле 5-6 и может быть включена внешним контактом устройства АЧР.

          Рис.3. Принципиальная схема реле РЧ-1.

       При замыкании цепи режимов реле 5-6 возврат реле происходит при резонансной частоте того контура, у которого она выше. Установка частоты возврата производится ступенчато переключением витков дросселя 2Др и плавно резистором 2R.

     Оба частотно-зависимых элемента включены к формирователям прямоугольных импульсов через разделительные диоды Д4 и Д5.

       Формирователи прямоугольных импульсов выполнены на транзисторах Т1 и Т2 и ряде диодов.

       Работа схемы формирователя импульсов может быть показана на примере работы части схемы (например, транзистора Т1). При отсутствии сигнала транзистор отперт, так как токи в схеме выбраны таким образом, что ток через резисторы R7 и R* больше тока через резистор R9. Разность этих токов проходит через базу триода, отпирая его, и через диод Д9 (обратный ток диода).

       При подведении ко входу отрицательного входного сигнала диод Д5 заперт и через него идет ток, определяемый его обратным сопротивлением, который еще больше отпирает отпертый транзистор. Значение этого тока мало  и для транзистора не опасно. При подаче положительного входного  сигнала диод Д5 отпирается, а диод Д7 запирается. Ток через резистор R9 разветвляется между прямым сопротивлением диода Д9 и базой транзистора. Ток в базе транзистора является запирающим и транзистор полностью заперт на время подачи сигнала положительной полярности. Транзистор Т2 работает аналогичным образом. Запирание транзисторов происходит при напряжениях на базе, равных долям вольта, что позволяет формировать напряжение прямоугольной формы между эмиттером и коллектором транзистора в течение времени, близкого полупериоду входного сигнала.

       Роль логического элемента Л выполняет транзистор Т3. При отпертом транзисторе Т1 делитель R12-R13 одним концом через переход эмиттер — коллектор этого транзистора подключен к нулю источника питания, другим к напряжению плюс 6 В. Транзистор Т3 заперт положительным потенциалом на его базе. При запертом транзисторе Т1 делитель R12 - R13 через резистор R11 подключается к минусу источника питания, происходит перераспределение потенциалов на делителе и возникающий ток базы транзистора Т3 отпирает последний.

        При запирании транзистора Т2 происходит заряд конденсатора С2 через резистор R10 и сопро-тивление перехода эмиттер — коллектор транзистора Т3 или сопротивление перехода эмиттер — база транзистора Т4, что зависит от состояния транзистора Т1. При отпертом транзисторе Т1 транзистор Т3, как было показано ранее, заперт и зарядный импульс проходит по цепи эмиттер — база транзистора Т4. При запирании транзистора Т1 транзистор Т3 отперт и конденсатор заряжается по цепи эмиттер — коллектор этого транзистора.  Параметры конденсатора С2 выбраны такими, что время его заряда значительно меньше запертого состояния транзистора Т2, что и позволяет получить на конденсаторе кратковременный зарядный импульс, начало которого совпадает с началом запирания транзистора Т2.