Задания для самоподготовки к итоговому тестированию по темам части № 2 «Металлы, полупроводники, диэлектрики», страница 5

2)  до 107 эВ

3)  свыше 1 эВ

4)  свыше 3эВ

60.Уровень Ферми для чистого полупроводника при температуре Т = 0 находится

1)  вблизи дна зоны проводимости

2)  в середине запрещенной зоны

3)  в середине валентной зоны

4)  внутри зоны проводимости

61.Носителями тока в чистых полупроводниках являются

5)  дырки в валентной зоне

6)  электроны в валентной зоне

7)  электроны в зоне проводимости и дырки в валентной зоне

8)  дырки в зоне проводимости и электроны в валентной зоне

62. Проводимость чистого полупроводника при нагревании

1)  уменьшается по линейному закону

2)  увеличивается по линейному закону

3)  увеличивается по экспоненциальному закону

4)  уменьшается по экспоненциальному закону

63. Если приложить к чистому полупроводнику электрическое поле, то

1)  дырки движутся против направления напряженности поля

2)  дырки движутся по направлению напряженности поля, а электроны против направления поля

3)  электроны движутся по направлению напряженности поля

4)  электроны движутся по направлению напряженности поля, а дырки против направления поля

64. Проводимость чистого проводника при его нагревании обусловлена переходами

1)  электронов из валентной зоны в зону проводимости

2)  дырок из зоны проводимости в валентную зону

3)  электронов из зоны проводимости в валентную зону

4)  движением электронов и дырок внутри валентной зоны

65.Концентрация примеси в полупроводнике не превышает

1)  50 %

2)  5 %

3)  Нескольких десятых долей процента

4)  Больше 90 %

66.Донорные уровни расположены

1)  в середине зоны проводимости

2)  вблизи потолка валентной зоны

3)  вблизи  дна зоны проводимости

4)  в середине запрещённой зоны

67.Дырочной проводимостью обладает полупроводник, включающий в себя примесь, валентность которой равна

1) на единицу меньше валентности чистого полупроводника

2) на единицу больше валентности чистого полупроводника

3)  Может быть любой

4) равна валентности чистого полупроводника

68. Донорные уровни

1)  заполнены электронами примеси

2)  свободны от электронов

3)  заполнены дырками

4)  заполнены электронами полупроводника

69.Акцепторные уровни расположены

1)  в середине зоны проводимости

2)  вблизи потолка валентной зоны

3)  вблизи  дна зоны проводимости

4)  в середине запрещённой зоны

70.  Электронно-дырочный переход - это

1)  граница соприкосновения шириной в несколько межатомных расстояний двух полупроводников, один из которых имеет электронную, а другой - дырочную проводимость

2)  граница соприкосновения германия и кремния

3)  граница соприкосновения шириной в несколько межатомных расстояний металла с чистым полупроводником

4)  граница соприкосновения двух разнородных металлов

71. Уровень Ферми в области контакта p-n-перехода находится

5)   на одинаковой высоте в середине запрещенной зоны

6)   на одинаковой высоте в зоне проводимости

7)   на одинаковой высоте в валентной зоне

8)  на одинаковой высоте в любом месте запрещённой зоны

72.Толщина слоя p-n-перехода составляет примерно

1)  1 мкм

2)  1 нм

3)  1 мм

4)  1см

72. Высота потенциального барьера в области р-n-перехода определяется разностью

1)  положений уровня Ферми в обоих полупроводниках

2)  ширины запрещенной зоны в обоих полупроводниках

3)  положений акцепторных и донорных уровней в обоих полупроводниках

4)  положений валентных зон

74.Транзистор - это область полупроводника, содержащая

1)  один p-n-переход

2)   два p-n-перехода

3)   три p-n-перехода

4)   ни одного p-n-перехода