Сравнительный анализ схем включения транзисторов

Страницы работы

5 страниц (Word-файл)

Содержание работы

~ ЛЕКЦИЯ 4 ~

Сравнительный анализ схем включения транзисторов

Сравнение схем включения транзисторов проводят по пяти основным параметрам, к которым относят коэффициенты усиления по напряжению, току и мощности, входные и выходные сопротивления транзисторов.

Таблица 1. Сравнение схем включения транзисторов.

Параметр

Схема включения

ОБ

ОЭ

ОК

КI

£1

КU

>1

>1

£1

Кp= КU·КI

>1

>1

>1

Rвх

Десятки Ом

Сотни Ом – единицы кОм

Сотни кОм

Rвых

Сотни кОм

Единицы и десятки кОм

Десятки Ом

Из анализа данных сравнения видно, что схема включения ОЭ обладает большими коэффициентами усиления по току, напряжению и мощности и сравнимыми сопротивлениями на входе и выходе, что привело к широкому использованию этой схемы для усиления мощности.

Схема включения транзистора ОК (эмиттерный повторитель) в основном применяется для согласования высокоомного выхода усилителя с низкоомной нагрузкой в выходных каскадах усиления мощности, Rвх >> Rвых. Схему ОК можно использовать для усиления тока в каскадах предварительного усиления многокаскадных усилителей.

Преимуществом схемы включения транзистора ОБ является то, что данная схема обладает наименьшими нелинейными и частотными искажениями. В связи с этим, ее применяют в каскадах предварительного усиления для снижения искажений в многокаскадных усилителях при усилении напряжения.

Динамический режим работы транзистора

Режим работы транзистора с нагрузкой называют динамическим.

В этом режиме токи и напряжения на электродах транзистора не остаются постоянными, а непрерывно изменяются под воздействием входного сигнала. При этом усиление электрических колебаний с помощью транзистора основано на зависимости выходного тока от величины напряжения, приложенного к входной цепи.

Рисунок 30. Схема включения транзистора ОБ в динамическом режиме.

Рисунок 31. Схема включения транзистора ОЭ в динамическом режиме.

В динамическом режиме для анализа работы транзистора на выходных статических характеристиках строят динамическую характеристику, называемую линией нагрузки.

Рассмотрим работу транзистора в динамическом режиме для схемы ОЭ при постоянном токе.

Линия нагрузки – это зависимость напряжения на коллекторе Uкэ от сопротивления в коллекторной цепи Rк:

Uкэ = EкIкRк

Линию нагрузки строят по двум точкам: короткого замыкания (КЗ) и холостого хода (ХХ). Параметры этих точек определим по уравнению линии нагрузки.

В режиме короткого замыкания падение напряжения в выходной цепи стремится к нулю, а ток в коллекторной цепи к максимальному значению:

Iк max = Eк / Rк

В режиме холостого хода сопротивление в выходной цепи стремится к бесконечности, а ток – к нулю, напряжение становится максимальным:

Uкэ = Eк

Исходя из этого, запишем параметры точек:

  т. КЗUкэ = 0, Iк max = Eк / Rк;

  т. ХХ Iк = 0, Uкэ = Eк.

Построим линию нагрузки на выходных статических характеристиках транзистора для схемы ОЭ.

Рисунок 32. Динамическая выходная характеристика.

Точки пересечения линии нагрузки со статическими характеристиками называют рабочими точками. Они определяют токи и напряжения в транзисторе при изменении сопротивления Rк и входного тока Iб. При изменении этих величин транзистор может попадать в один из трех режимов: отсечки, активный, насыщения.

В режиме отсечки токи в транзисторе очень малы (Iк → 0, IбIб0), эмиттерный переход закрыт. На линии нагрузки это – интервал от точки 1 до точки Ек.

В активном режиме увеличиваются токи (Iб1 £ Iвх £ Iб max, Iк1 £ Iк £ Iк5) и изменяется напряжение Uкэ (Uкэ min £ Uкэ £ Ек), эмиттерный переход открывается. На линии нагрузки это – интервал точки 1 до точки 5.

В режиме насыщения увеличение входного тока больше Iб max приводит к незначительному росту тока Iк (Iк max), т.к. практически все свободные носители заряда уже участвуют в образовании тока через эмиттерный переход. На линии нагрузки это – интервал от точки 5 до точки Iк max.

Для определения режима, в котором находится транзистор, используют коэффициент насыщения Кs:

где Iб – ток в цепи базы;

Iб max – максимально допустимый ток базы для данного типа транзистора (из справочника).

Если Кs → 0 – транзистор находится в режиме отсечки;

0 < Кs £ 1 – в активном режиме;

Кs > 1 – в режиме насыщения.

В активном режиме транзистор находится в рабочем включении, когда эмиттерный переход открыт, а коллекторный закрыт.

Кроме рабочего используют инверсное (обратное) включение, при котором транзистор работает с очень малыми токами.

Параметры транзисторов

Для оценки и сравнения транзисторов используют следующие виды параметров:

  - классификационные;

  - постоянного тока;

  - физические;

  - малого сигнала;

  - большого сигнала;

  - предельные.

К классификационным параметрам относят: коэффициент передачи тока a (схема ОБ), предельную частоту усиления fa, статический коэффициент усиления тока b (схема ОЭ), максимально допустимое обратное напряжение Uв max.

Параметры постоянного тока или эксплуатационные применяют для расчета транзистора по постоянному току. К ним относят: обратный ток коллектора Iк0, обратный ток эмиттера Iэ0, начальный ток коллектора Iкн.

Физические или первичные параметрытранзистора не зависят от схемы включения.

Ими являются: объемное сопротивление базы rб, дифференциальное сопротивление эмиттерного перехода rэ, дифференциальное сопротивление закрытого коллекторного перехода rк, коэффициент передачи тока a, коэффициент усиления тока b, предельные (граничные) частоты усиления fa иfb, емкости эмиттерного Сэ и коллекторного Ск переходов.

Параметры малого сигнала зависят от схемы включения транзистора. Малымназывают сигнал, амплитуда которого мала по сравнению с приложенным к транзистору постоянным напряжением, определяющим выбор рабочей точки.

Практическое применение находят три системы малосигнальных параметров: параметры сопротивления или z-параметры, проводимости или y-параметры и гибридные или h-параметры.

Параметры большого сигнала характеризуют работу транзистора в режимах, при которых токи и напряжения на входе и выходе изменяются в широких пределах. Эти параметры применяют для расчета транзистора в предоконечных и выходных каскадах усилителей.

Основными параметрами большого сигнала являются:

  1. Статический коэффициент передачи тока:

.

  2. Статическая крутизна прямой передачи тока:

.

К предельным или максимально допустимым параметрам относят:

  1. Максимальную мощность Рк max, рассеиваемую транзистором:

Рк max = max · Uкэ

  2. Максимальный ток коллектора Iк max (до 12 А).

  3. Максимально допустимое обратное напряжение Uкб доп или Uэб доп.

  4. Предельную частоту передачи тока fa, fb.

Похожие материалы

Информация о работе

Предмет:
Электроника
Тип:
Конспекты лекций
Размер файла:
107 Kb
Скачали:
0