Исследование характеристик БИС и СБИС

Страницы работы

Содержание работы

Лабораторная работа №1

По дисциплине:

«Конструкторско-технологическое обеспечение производства ЭВМ»

Тема: «Исследование характеристик БИС и СБИС

и параметров ячеек ЭВМ на их основе»

1а – Исследование зависимости характеристик БИС и СБИС от уровня микроэлектронной технологии и типа схемотехники.

Таблица значений параметров

Параметры

Тип логики: ТТЛ                                                    МЛР, мкм:

1

2

3

4

5

Степень интеграции БИС,   ЭЛЭ

16000

4000

1778

1000

640

Рассеиваемая крист. мощн., Вт

4.00

2.00

1.33

1.00

0.80

Задержки на  лог, элементах, нс

0.75

1.50

2.25

3.00

3.75

Задержка в связях кристалла, нс

0.82

0.32

0.19

0.13

0.09

Число требуемых выводов кристалла

253

126

84

63

51

Выход годных кристаллов

0.015687

0.090947

0.143961

0.176657

0.198167

Стоимость БИС,       усл.ед.

56.0

10.5

7.0

5.9

5.4

Стоимость 1 ЛЭ БИС,     усл.ед

0.0035

0.0026

0.0039

0.0059

0.0084

Интенсивность отказов,       1/ч

0.0000186

0.0000032

0.0000018

0.0000013

0.0000012

Похожие материалы

Информация о работе