Аналоговые электронные устройства: Учебное пособие, страница 36

Рис.39. Схема каскада

 дифференциального усилителя

 по постоянному току

8. ВЛИЯНИЕ      ТЕМПЕРАТУРЫ     НА      ХАРАКТЕРИСТИКИ     И       ЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ РЕЖИМ ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРОВ

Характеристики и электрический режим полевых транзисторов за­висят от температуры полупроводникового кристалла. Вольт-амперная сток-затворная характеристика полевого транзистора с  пере­ходом изменяется при изменении температуры, как показало на рис. 40.

С ростом температуры напряжение отсечки увеличивается, а мак­симальный ток стока уменьшается. Характер и величину температурных изменений характеристик униполярного транзистора определяют [20] как зависимость

-  контактной разности потенциалов перехода от температуры;

-  от температуры неуправляемого обратного тока перехода затвора;

-  сопротивления канала от температуры.

Контактная  разность  потенциалов с ростом  температуры уменьшается  на 3 мВ/°С.  Неуправляемый ток  затвора   возрастает  с  температурой  по  экспоненциальному закону , где  - коэффициент, равный 0,10;  - изменение температуры канала.

Рис.40. Температурное изменение проходной

статической характеристики полевого транзистора

 c p-n переходом

Сопротивление канала уменьшается с ростом температуры вследствии расширения канала из-за уменьшения контактной разности потенциалов и увеличивается из-за изменения подвижности основных носителей в канале транзистора. Поэтому результирующее изменение сопротивления канала транзисторов имеет различный знак и величину в зависимости от типа транзистора и его электрического режима.

Температурная зависимость характеристик полевых транзисторов с изолированным затвором определяется изменением с температурой сопротивления канала вследствие изменения подвижности и концентрации носителей зарядов в канале транзистора.

С увеличением температуры ток стока полевых транзисторов (независимо от их типа) уменьшается, что приводит к уменьшению крутизны сток-затворной характеристики, т.е. к ухудшению усилительных свойств транзисторов.

9. СХЕМЫ   ЦЕПЕЙ    ТЕРМОСТАБИЛИЗАЦИИ ЭЛЕКТРИЧЕСКОГО    РЕЖИМА ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРОВ

Схема цепей термостабилизации электрического режима полевых транзисторов зависит от типа транзистора (с  переходом, с изолированным затвором) и режима работы (обеднения, обогащения). Величина сопротивлений участков цепи термостабилизации зависит от температурного режима. Общая схема цепи термостабилизации полевых транзисторов показана на рис. 41 а.

        а)                                            б)

Рис.41 Схемы термостабилизации полевых транзисторов

Термостабилизация электрического режима полевых транзисторов обеспечивается введением отрицательной обратной связи по постоянному току. Чем больше глубина отрицательной обратной связи (больше сопротивление резистора ), тем выше стабильность электрического режима.

В этой схеме при помощи резистора  обеспечивается и величина, и стабильность тока транзисторов с  переходом и с изолированным затвором в режиме обеднения. Резистор  служит для передачи напряжения обратной связи, снимаемого с , на затвор транзистора и для снятия с затвора электрического заряда, создаваемого обратным током перехода затвор-канал.