Технологічна схема виготовлення структури приладу Т-122

Страницы работы

5 страниц (Word-файл)

Содержание работы

2 Спеціальна частина

2.1 Технологічна схема виготовлення структури приладу Т-122

Процес виготовлення напівпровідникових приладів представляє собою складний комплекс технологічних операцій, кожна з яких є надзвичайно важливою.

Процес виготовлення напівпровідникових приладів складається з наступних етапів:

- механічна обробка кремнію – розділ монокристалу на пластини з визначеними геометричними розмірами;

-   легування – створення p-n переходу;

-   фотолітографія – створення рисунку на поверхні з p-n переходом;

-   складальні процеси.

Технологічна схема виготовлення тиристорної структури показана нижче у таблиці 3

Таблиця 3 – Технологічний процес виготовлення приладу Т-122

Графічне зображення

Найменування операції

Пара-метри

Режими

Матеріали

1

2

3

4

5

Шліфування монокристалічного кремнію

Ø45

Кремній марки Б-45/47,5

Приклеювання графітової планки

Сушка tкім=0,5 год

Різка монокристалів на пластини

h=0,52 мм

Відмивка від замазки

Миючий засіб, вода

Двостороннє шліфування

h=0,38 мм

Абразивна суспензія

Продовження таблиці 3

1

2

3

4

5

Підготовка пластин до дифузії

Деіонізована вода з ρ≥15Мом,

перекисно-аміачний розчин,

перекисно-кислотний розчин

Дифузія B+Al (електропіч)

∆х=77±3мкм ρ=40-70 Ом/м

Т=(1250±1˚С)        t=24год

Травлення боросилікат-ного скла

Фториcто-воднева  кислота

Підготовка до окисленя

t=20хв

Фтористо-воднева кислота

Окислення

h=1,4мкм

Завантаження при Т=(1150±5)˚С        tв парах НО=6год

Формування рисунку в шарі фоторезиста

С2Н5ОН фоторезист ФП-383

Підготовка до травлення

Вязкість    10-15с Т=(70±10)˚С

t=5-10хв

Лак ХВ-384

Селективне травлення

t=20-25хв

NH4F-3000г HF-100мл H2O-600мл

Зняття лаку і фоторезисту

Кип’ятіння 10 хв Промити Т=(75±5)˚С

H2O2, KOH, H2O

Продовження таблиці 3

1

2

3

4

5

Підготовка пластин до дифузії

Кип’ятіння 10 хв

Промити до нейтральної реакції

H2O ρ≥10мОм

перекисно-аміачний розчин,

перекисно-кислотний розчин,

HF

Захист лаком

tнапов=10-20хв

Лак ХВ-784

Нанесення дифузанта

V=(2500±500)

об/хв

t=3-5c

Одночасна дифузія бору і фосфору

Тдиф=(1210±1)˚С t=5год

Окислення

tв парах води=2год     tбез води=0,5год

Формування шару фоторезиста

Зміщення рисунку на 1 мм

С2Н5ОН фоторезист

ФП-383

Підготовка до травлення

Вязкість 10-15с Т=(70±10)˚С      t=5-10хв

Лак ХВ-384

Селективне травлення

t=15-50хв

NH4F-3000г

HF-100мл

H2O-600мл

Захист лаком

tнапов=10-20хв

Лак ХВ-784

Продовження таблиці 3

1

2

3

4

5

Травлення окислу

t=5-10хв, промити

NH4F-3000г

H2O-600мл

Зняття лаку і фоторезисту

Кип’ятіння t=10c Т=(75±5)˚С

H2O2, H2SO4

Підготовка поверхні до хімічного нікелювання.

Перше хімічне нікелювання

t=20-60c без промивки

Au-0,1г/л

NH4F-300 г/л

HCl-50г/л Електроліт

Випал Ni

Т=(450±10)˚С t=30хв

Підготовка до другого хімічного нікелюваня

t=1-2хв, промити до нейтральної реакції

HCl:HNO3=3:1  H2O

Друге хімічне нікелювання

Т=(85-90)˚С t=5хв

H2O,Електроліт

Вирізка

Т=(90-140)˚С

Зняття фаски

Мікропорошок М14

Складання арматури

Припой ПОС-2, HCl

Похожие материалы

Информация о работе