Технологічна схема виготовлення структури приладу Т-122

2 Спеціальна частина

2.1 Технологічна схема виготовлення структури приладу Т-122

Процес виготовлення напівпровідникових приладів представляє собою складний комплекс технологічних операцій, кожна з яких є надзвичайно важливою.

Процес виготовлення напівпровідникових приладів складається з наступних етапів:

- механічна обробка кремнію – розділ монокристалу на пластини з визначеними геометричними розмірами;

- легування – створення p-n переходу;

- фотолітографія – створення рисунку на поверхні з p-n переходом;

- складальні процеси.

Технологічна схема виготовлення тиристорної структури показана нижче у таблиці 3

Таблиця 3 – Технологічний процес виготовлення приладу Т-122

Графічне зображення	Найменування операції	Пара-метри	Режими	Матеріали
1	2	3	4	5
	Шліфування монокристалічного кремнію	Ø45		Кремній марки Б-45/47,5
	Приклеювання графітової планки		Сушка tкім=0,5 год
	Різка монокристалів на пластини	h=0,52 мм	Відмивка від замазки	Миючий засіб, вода
	Двостороннє шліфування	h=0,38 мм		Абразивна суспензія

Продовження таблиці 3

1	2	3	4	5
	Підготовка пластин до дифузії			Деіонізована вода з ρ≥15Мом, перекисно-аміачний розчин, перекисно-кислотний розчин
	Дифузія B+Al (електропіч)	∆х=77±3мкм ρ=40-70 Ом/м	Т=(1250±1˚С) t=24год
	Травлення боросилікат-ного скла			Фториcто-воднева кислота
	Підготовка до окисленя		t=20хв	Фтористо-воднева кислота
	Окислення	h=1,4мкм	Завантаження при Т=(1150±5)˚С tв парах НО=6год
	Формування рисунку в шарі фоторезиста			С₂Н₅ОН фоторезист ФП-383
	Підготовка до травлення		Вязкість 10-15с Т=(70±10)˚С t=5-10хв	Лак ХВ-384
	Селективне травлення		t=20-25хв	NH₄F-3000г HF-100мл H₂O-600мл
	Зняття лаку і фоторезисту		Кип’ятіння 10 хв Промити Т=(75±5)˚С	H₂O₂, KOH, H₂O

Продовження таблиці 3

1	2	3	4	5
Підготовка пластин до дифузії		Кип’ятіння 10 хв Промити до нейтральної реакції	H₂O ρ≥10мОм	перекисно-аміачний розчин, перекисно-кислотний розчин, HF
	Захист лаком		tнапов=10-20хв	Лак ХВ-784
	Нанесення дифузанта		V=(2500±500) об/хв t=3-5c
	Одночасна дифузія бору і фосфору		Тдиф=(1210±1)˚С t=5год
	Окислення		tв парах води=2год tбез води=0,5год
	Формування шару фоторезиста	Зміщення рисунку на 1 мм		С₂Н₅ОН фоторезист ФП-383
	Підготовка до травлення		Вязкість 10-15с Т=(70±10)˚С t=5-10хв	Лак ХВ-384
	Селективне травлення		t=15-50хв	NH₄F-3000г HF-100мл H₂O-600мл
	Захист лаком		tнапов=10-20хв	Лак ХВ-784

Продовження таблиці 3

1	2	3	4	5
Травлення окислу		t=5-10хв, промити	NH₄F-3000г H₂O-600мл
	Зняття лаку і фоторезисту		Кип’ятіння t=10c Т=(75±5)˚С	H₂O₂, H₂SO₄
	Підготовка поверхні до хімічного нікелювання. Перше хімічне нікелювання		t=20-60c без промивки	Au-0,1г/л NH₄F-300 г/л HCl-50г/л Електроліт
	Випал Ni		Т=(450±10)˚С t=30хв
	Підготовка до другого хімічного нікелюваня		t=1-2хв, промити до нейтральної реакції	HCl:HNO₃=3:1 H₂O
	Друге хімічне нікелювання		Т=(85-90)˚С t=5хв	H₂O,Електроліт
	Вирізка		Т=(90-140)˚С
	Зняття фаски			Мікропорошок М14
	Складання арматури			Припой ПОС-2, HCl