Короткі відомості про прилад Т 115. Основні етапи процесу фотолітографії. Призначення операції фотолітографії

Страницы работы

Фрагмент текста работы

1.  Загальний розділ

1.1 Короткі відомості про прилад Т 115

Тиристори – це ключові|джерельні| напівпровідникові елементи, які можуть знаходитися|перебувати| в одному з двох стійких станів|достатків| - провідному (відкритому|відчиняти|) і непровідному (закритому|зачиняти|). В зворотному напрямку тиристор володіє тільки запираючими властивостями. Тобто тиристор – це керуючий діод.

Рисунок 1.1 – Вольт-амперна характеристика тиристора

На рисунку 1.1 наведено ВАХ тиристора. Вона має кілька ділянок:

між точками 0 і 1 знаходиться ділянка, відповідна до високого опору приладу- пряме запирання. У точці 1 відбувається включення тиристора. Між точками 1 і 2 -перебуває ділянка з негативним диференціальним опором. Ділянка між точками 2 і 3 відповідає відкритому стану (прямій провідності). У точці 2 через прилад протікає мінімальний утримуючий струм. Ділянка між 0 і 4 описує режим зворотного запирання приладу. Ділянка між 4 і 5 - режим зворотного пробою.

Основні параметри тиристора Т115 представлені у таблиці 1.1.

Таблиця 1.1 – Основні параметри тиристора Т115

Назва параметру

Значення параметрів

Тип тиристора

Т115-6,3

Т115-10

Т115-16

Максимально допустимий середній струм у відкритому стані, А, при Тк=75С

6,3

10

16

Імпульсна напруга, що повторюється, у закритому стані, імпульсна зворотна напруга, що повторюється, В

200(2); 400(4); 500(5); 600(6); 800(8); 900(9); 1000(10); 1100(11); 1200(12)

Критична швидкість зростання струму у відкритому стані, А/мкс

20(1); 50(2); 100(3); 200(4); 320(5); 500(6)

Імпульсна напруга, що не повторюється, у закритому стані, імпульсна зворотна напруга, що не повторюється, В

225; 450; 560; 670; 900; 1000; 1100; 1200; 1300

Імпульсна напруга у відкритому стані, В не більше

1,80

1,75

1,70

Ударний струм, що не повторюється в закритому стані, А, при максимально допустимою температурі переходу

90

130

200

Імпульсна напруга, що повторюється, у закритому стані, імпульсна зворотна напруга, що повторюється, В, не більше

при температурі 25С

при температурі 125С

1,7

2,5

Відмикаючий постійний струм управління, мА, не більше

при температурі 25С

при температурі 40С

45

120

Відмикаючий постійна напруга управління, В, не більше

при температурі 25С

при температурі 40С

2,5

3,5

Тепловий опір переход-корпус, С/Вт, не більше

3,00

2,50

1,90

Продовження таблиці 1.1

Назва параметру

Значення параметрів

Критична швидкість зростання струму у відкритому стані, А/мкс

100

Струм утримання, мА

70

Електрична міцність ізоляції між беспотенциальним підставою тиристора і його виводами, В

2500

Опір ізоляції між беспотенциальною основою тиристора і його виводами, МОм, не більше

при нормальних кліматичних умовах

при підвищеної вологості повітря

30,0

3,0

Температура перехода, С,

максимальна

мінімальна

125

-40

Габаритні розміри тиристора Т115 представлено на рисунку 1.2

Рисунок 1.2 – Габаритні розміри тиристора Т 115

А – область контролю температури корпуса тиристора        

1.2 Основні етапи процесу фотолітографії

Створення фоторезистивного шару на поверхні підкладки.

Підготовка поверхні повинна забезпечити високу чистоту і осущеність, забезпечує якісне нанесення фоторезистивного шару, його адгезію і стійкість до дії агресивних речовин.

Нагрівання пластин до нульової точки дозволяє вилучити більшу частину адсорбованої вологи, а короткочасна обробка при температурі до 100 ºС змінює стан і хімічні властивості поверхні окисної плівки.

Металеві плівки алюмінію підлягають обробці у 18 % розчині тринатрій фосфату, потім у 35% розчині HNO3 з наступною промивкою деіонізованою водою і сушкою у термостаті. При проведені фотолітографії по шару БСС чи ФСС проводять випал при температурі 1000 – 1200 ºС у атмосфері сухого кисню в результаті чого на поверхні пластин створюється гідрофобний шар окислу.

Наступним етапом є нанесення шару фоторезиста. Властивості фоторезистивних плівок визначається не тільки складом фоторезиста, але й методом його формування. 

Вимоги до операції нанесення фоторезиста:

-  можливість формування бездефектних плівок контролюємої відтворювальної товщини.

-  реалізація поширеного діапазону товщин покрить.

-  формування плівок з високого рівномірністю за товщиною при обов’язковому зменшенні бортика, який створюється на периферійній частині пластини.

-  створення покрить, які володіють максимальною адгезією до поверхні пластини.

Існують такі методи нанесення фоторезисту:

1.  центрифугування

2.  пульверизація

3.  накатка (для плівкових фоторезистів)

Найбільше поширення у промисловості отримав метод центрифугування. Перед нанесенням фоторезист підлягає обов’язковій фільтрації крізь фільтри глибокої очистки, з цією метою використовують фільтри з d=14 – 0,2 мкм.

Фільтрація проводиться в 2 стадії:

1.  вилучення відносно величини часток під тиском в атмосфері сухого азоту.

2.  під тиском з використанням фільтрів з порами d ≈ 1 мкм.

Установка має автоматичне дозування фоторезисту, яке забезпечує рівномірність плівки фоторезисту за товщиною.

При обертанні центрифуги фоторезист за рахунок центробіжних сил розтікається, а на поверхні залишається шар з визначеною товщиною.

де А – коефіцієнт пропорційності, який залежить від складу фоторезисту, А = 10-2 ;

γ – динамічна в’язкість фоторезисту;

ω – кутова швидкість центрифуги.

Для змінення товщини шару змінюють в’язкість фоторезисту, тонке регулювання товщини досягається підбором кутової швидкості, яке знаходиться в межах 2000 – 10000 об./хв.

Пульверизація – найбільш гнучкий метод. Сутність методу полягає у диспергуванні фоторезиста, стисненим повітрям і нанесенні його на пластину у вигляді дисперсійного аерозолю.

Перевагою є можливість формування покриття у великому інтервалі площин з достатньо високим відтворювальним і не великим розкидом за товщиною

Похожие материалы

Информация о работе