Статистика электронов и дырок в полупроводниках (лабораторная работа), страница 7

ДИОД 2

U, мВ
I, мА

8. Поставить переключатель 5 «Д1-Д2» в положение Д2, соответствующее второму диоду. Повторить п.п.5-7.

9. Включить тумблер «нагрев». Повторить  п.п. 4-8 для температуры диодов, выбранной в интервале 50-70°С.

10. Построить вольтамперные характеристики диодов при двух температурах.

11. При постоянном напряжении (например, 3В), подаваемом на диод, снять зависимость тока от температуры. Измерять напряжение и ток для диодов Д1 и Д2, как описано в п.п.4,5,6. Фиксировать значения тока при изменении температуры на каждые 5К. Результаты измерений свести в таблицу 2.

Таблица 2

ДИОД 1

U, мВ	T, К	I,мА

ДИОД 2

, U, мВ	T, К	I,мА

  12. Построить зависимость  для каждого диода. По графика определить разность уровней Ферми областей с разным типом проводимости.

4.  ТРЕБОВАНИЯ К ОФОРМЛЕНИЮ ОТЧЕТА       

    Отчет по лабораторной работе должен содержать название работы, формулировку цели работы, схему экспериментальной установки ,расчетные формулы, таблицы результатов 1 и 2, вольтамперные характеристики диодов при двух температурах,  графики  для каждого диода, построенные по результатам эксперимента, расчетное значение разности уровней Ферми областей с разным типом проводимости для каждого диода, выводы.

5.КОНТРОЛЬНЫЕ ВОПРОСЫ

1. Какой полупроводник считают вырожденным? невырожденным?

2.Что происходит при контакте двух полупроводников с разным типом проводимости?

3. Как осуществляется выпрямление тока в р-п переходе?

4. В чем состоит туннельный эффект в полупроводниках?

5. Прокомментируйте зонную диаграмму без внешнего смещения.

6. Объясните ход ВАХ туннельного диода при обратном смещении.

7. Какие процессы происходят при малом прямом смещении?

8. Расскажите о процессах в туннельном диоде при прямом смещении, соответствующем спаду тока.

9. Чем обусловлено дальнейшее увеличение тока (точка 5 на рис.1.8)?

10. Как объяснить различие между теоретическими и экспериментальными ветвями ВАХ?