Тест по дисциплине "Физические основы микроэлектроники" (Изменение удельного электрического сопротивления собственного полупроводника с ростом температуры. Выражение для определения тока через диод), страница 2

25.  Какое соотношение между токами выполняется в биполярном транзисторе в активном режиме в схеме с общей базой?

25.1.  Iэ=Iк<Iб

25.2.  Iэ>Iк>>Iб

25.3.  Iэ>Iб>>Iк

25.4.  Iб>Iэ>Iк

25.5.  Iк>Iэ>>Iб

26.  В каких полупроводниковых приборах не используется p-n переход?

26.1.  туннельный диод

26.2.  диод Шоттки

26.3.  светоизлучающий диод

26.4.  диод Ганна

26.5.  стабилитрон

26.6.  обращенный диод

27.  Какие полупроводниковые приборы работают на основных носителях заряда?

27.1.  полупроводниковый диод

27.2.  диод Ганна

27.3.  биполярный транзистор

27.4.  полевой транзистор

27.5.  туннельный диод

27.6.  полупроводниковый лазер

28.  Работа выхода в полупроводнике n-типа (Фп) больше, чем работа выхода в металле (Фм). В каком направлении и какие носители заряда будут пересекать металлургическую границу контакта этих материалов в начальный момент времени?

28.1.  электроны из металла будут двигаться в полупроводник

28.2.  электроны из зоны проводимости полупроводника будут двигаться в металл

28.3.  электроны из валентной зоны  полупроводника будут двигаться в металл

29.  Работа выхода в полупроводнике n-типа (Фп) меньше, чем работа выхода в металле (Фм). В каком направлении и какие носители заряда будут пересекать металлургическую границу контакта этих материалов в начальный момент времени?

29.1.  электроны из металла будут двигаться в полупроводник

29.2.  электроны из зоны проводимости полупроводника будут двигаться в металл

29.3.  электроны из валентной зоны  полупроводника будут двигаться в металл

30.  Работа выхода в полупроводнике p-типа (Фп) меньше, чем работа выхода в металле (Фм). В каком направлении и какие носители заряда будут пересекать металлургическую границу контакта этих материалов в начальный момент времени?

30.1.  электроны из металла будут двигаться в полупроводник и рекомбинировать с дырками

30.2.  электроны из зоны проводимости полупроводника будут двигаться в металл

30.3.  электроны из валентной зоны  полупроводника будут двигаться в металл с образованием дырок

31.  Работа выхода в полупроводнике p-типа (Фп) больше, чем работа выхода в металле (Фм). В каком направлении и какие носители заряда будут пересекать металлургическую границу контакта этих материалов в начальный момент времени?

31.1.  электроны из металла будут двигаться в полупроводник и рекомбинировать с дырками

31.2.  электроны из зоны проводимости полупроводника будут двигаться в металл

31.3.  электроны из валентной зоны  полупроводника будут двигаться в металл с образованием дырок

32.    Как изменится обратный ток идеального p-n перехода при уменьшении температуры?

32.1.  увеличивается,

32.2.  уменьшается

32.3.  не изменится

33.  P-n переход состоит из однородно легированных областей с равными геометрическими размерами и одинаковым удельным сопротивлением. Как соотносятся электронная (Jn) и дырочная (Jp) составляющие плотности электрического тока при прямом смещении?

33.1.  Jn>Jp

33.2.  Jn<Jp, если Ln=Lp и p-n переход толстый

33.3.  Jn=Jp, если Ln=Lp

33.4.  Jn>Jp, если Ln<Lp

33.5.  Jn<Jp, если Ln>Lp

34.  Напряжение какой полярности возникает при облучении p-n перехода светом?

34.1.  плюс на p-области

34.2.  плюс на n-области

34.3.  полярность напряжения определяется длиной волны падающего света

34.4.  плюс на p-области, если энергия кванта меньше Eg

34.5.  минус на n-области

35.  При каких условиях поглощение кванта с энергией меньшей ширины запрещенной зоны приводит к генерации электрон- дырочных пар?

35.1.  при Т>0К, если Е(фотона)+Е(фонона)>Eg

35.2.  если полупроводник примесный

35.3.  если локальное увеличение расстояния между узлами кристаллической решетки совпадает во времени с поглощением кванта света

35.4.  если полупроводник компенсированный

36.  Какие две величины связанны между собой уравнением Пуассона?

36.1.  напряженность электрического поля и подвижность носителей заряда

36.2.  объемную плотность зарядов и относительную диэлектрическую проницаемость

36.3.  напряженность электрического поля и объемную плотность зарядов

37.  Почему кремний не используется при изготовлении СИД или лазерных диодов?

37.1.  кремний – непрямозонный полупроводник, поэтому эффективность излучательной рекомбинации мала

37.2.  ширина запрещенной зоны у кремния не позволяет генерировать излучение в видимом диапазоне

37.3.  в кремнии не возможно получить стимулированную эмиссию

38.  Ток через диод при постоянном напряжении на переходе

38.1.  растет с ростом температуры

38.2.  уменьшается с ростом температуры

38.3.  не меняется с изменением температуры

39.  Напряжение на диоде при постоянном токе ?ерез диод

39.1.  растет с ростом температуры

39.2.  уменьшается с ростом температуры

39.3.  не меняется с изменением температуры

40.  Напряжение на диоде связано с током через него

40.1.  экспоненциальной зависимостью

40.2.  логарифмической зависимостью

40.3.  линейной зависимостью

40.4.  квадратичной зависимостью

41.  Ток через диод определяется выражением

41.1.  I= I0∙[exp(Ud/UТ) - 1]

41.2.  I= I0∙[exp(UТ/Ud) + 1]

41.3.  I= Ud∙[exp(I0/UТ) + 1]

41.4.  I= I0∙[exp(Id/UТ) - 1]

42.