Физика \ Физико-химические основы технологии электронных средств

Определение выхода кремния в реакции осаждения эпитаксиальной плёнки, страница 2

Таким образом, для нейтрализации продуктов реакции, образующихся при прохождении через реактор 1 моля SiCl₄ требуется 2 моля Na₂CO₃ или 4 моля NaOH.

3. Порядок выполнения работы

· Рассчитать площадь подставки.

· В разделе "Контрольные процессы" для режима задания определить время процесса (t_n) и среднюю скорость роста плёнки (V).

· Определить количество SiCl₄, проходящего через реактор за время процесса.

· Определить выход кремния (ζ ) в соответствии с соотношением ( 4 ).

· Определить количество SiCl₄, израсходованного за день на 5 установках ( по 8 процессов на установку).

· Определить количество соды или литров 30% -го раствора NaOH (плотность 1,33 г/мл), необходимых для нейтрализации продуктов реакции.

· Повторить те же действия при удвоенном общем расходе ПГС (Остальные параметры в соответствии с заданием).

· Повторить те же действия при увеличенной на 50⁰ температуре эпитаксии. (Остальные параметры в соответствии с заданием).

· Результаты представить в виде таблицы.

4. Содержание отчёта

· Цель работы.

· Исходные данные.

· Результаты эксперимента и расчёты в соответствии с п. 3.

· Выводы.

5. Контрольные вопросы

1. Объяснить схему процесса термического осаждения кремния и используемую химическую реакцию.

2. Объяснить методику расчета количества SiCl_4,израсходованного за процесс.

3. Объяснить методику расчета выхода кремния в ходе протекания реакции ( 1 ).

4. Объяснить методику расчета необходимого количества соды и щёлочи, необходимых для нейтрализации продуктов реакции в кислотном сливе.

6. Варианты заданий

Параметр	№№ вариантов
Параметр	1	2	3	4	5	6	7	8	9	10
Т эпитаксии, ^оС	1170 ±40	1130 ±35	1200 ±40	1220±45	1180 ±40	1150 ±40	1120 ±30	1230 ±50	1250 ±50	1190 ±40
Т реактора, ^оС	100± 50	100 ± 50	400 ±100	500 ±150	100 ± 50	100 ±50	350 ± 100	100 ±50	100 ±50	400 ±100
Т испарителя, ^оС	20±5	21±5	25±5	26±5	28±5	22±5	24±5	27±5	30±5	25±5
Общий расход Q, л/час	2000 ±200	1500 ±150	2100 ±220	3000 ±300	2500 ±250	3200 ±350	3500 ±350	2500 ±250	1800 ±200	2200 ±200
Давление на входе Р, мм.рт.ст.	1100 ±100	1200 ±100	1350 ±120	1300 ±120	1500 ±150	1200 ±100	1300 ±150	1250 ±120	1150 ±100	1400 ±150
Т газа на входе в реактор, ^оС	25±5	30±5	30±5	25±5	25±5	25±5	30±5	25±5	30±5	30±5
R реактора, см	13 ±0,8	14 ±0,8	12 ±0,8	12 ±0,8	18 ±1,0	17 ±1,0	12 ±0,8	20 ±1,1	14 ±0,8	18 ±1,0
R подставки, см	10± 0,5	11± 0,5	8,5± 0,5	9± 0,5	16± 0,7	15± 0,8	8,5± 0,5	18± 0,9	11± 0,6	16± 0,8
Диаметр пластин, мм	76	76	76	76	100	100	60	100	76	100
Относительная концентрация, %	1	1,5	0,8	0,5	0,6	0,5	0,5	1	1	0,8
Толщина плёнки, мкм	8	9	10	8	8	10	7	9	9	10
Допуск на толщину, мкм	1	1	1	1	1	1	1	1	1	1

7. Литература

Физико-химические основы технологии электронных средств. МУ к лабораторной работе №1

(S:\Polansky\….. Fxotes\Метод_указания\ЛабРФХОТ1.doc)

1 2

Скачать файл