Исследование пассивных RC-фильтров

Страницы работы

4 страницы (Word-файл)

Содержание работы

министерство образования и науки

 «Санкт-Петербургский государственный

электротехнический университет

“ЛЭТИ” имени В.И. Ульянова (Ленина)» (СПбГЭТУ)

Кафедра электронных приборов и устройств

Лабораторная работа № 1

«ИССЛЕДОВАНИЕ ПАССИВНЫХ RC - ФИЛЬТРОВ»

Выполнили студентки: Лобанова Е.Г.

                                        Плотникова А.В.

Группа:                   7204

Проверил:               Марцынюков С.А.

Санкт-Петербург
 2011 г

Цели работы

1. Изучение способов задания режима по постоянному току транзисторного усилителя.

2. Cравнение таких параметров транзисторов, как: термостабильность, входное и выходное сопротивления и коэффициент усиления по напряжению различных схем усилительных каскадов на транзисторах в режиме усиления малых сигналов.

Принципиальные схемы измерения и расчет их основных параметров.

Рис.1. Принципиальные схемы усилителей на биполярных транзисторах (БПТ).

а – с балластным резистором в цепи базы; б – с делителем в цепи базы и эмиттерным резистором.

Из заданного значения Uкэ = 7 В при Uп = 12 В и Iк = 5 мА однозначно вытекает необходимое значение сопротивления  Rк, а также необходимый ток базы Iб, при условии, что коэффициент усиления транзистора по постоянному току β =500:

=1 кОм;=10 мкА

Тогда, необходимое сопротивление резистора в цепи базы равно:

ּ

В действительности Iк = 5,147 мА, Iб = 19 мкА, следовательно, β =271.

Схема на рисунке 1 б (далее схема 2) обладает большей термостабильностью, чем схема на рисунке 1 а (далее схема 1), так как при нагревании транзисторов на несколько градусов Uвых в 1-й схеме уменьшилось на 40 мВ, а во второй на 20 мВ.

При определении усилительных свойств транзистора использовалось его включение по схеме, показанной на рисунке 2.

Рис. 2. Схема проведения измерений ku, Rвх и Rвых для усилителя с балластным резистором в цепи базы.

Значение R1 = Ом, С1 = мкФ. Конденсатор С2 не использовался.

Для всех измерений (и по схеме 1, и по схеме 2) на вход подавался синусоидальный сигнал амплитудой 0,1 В и частотой 2 кГц.

Для 1-й схемы Rвх ≈ h11 – сопротивление базы, а h11 = 1,8 кОм, Rвых ≈ Rк = 1 кОм, Кус = β ∙ Rк/ h11 ≈ 200. В действительности же коэффициент усиления получился Кус = Uвых/ Uвх = 1,72/0,0117=150.

Для 2-й схемы

– сопротивление параллельно включенных сопротивлений R1=200 кОм , R2 = 51 кОм и Rб вх; а Rвых ≈ Rк = 1 кОм; Кус = 5 (это же значение получилось в эксперименте), так как, задавая его, мы находим RЭ = Rк / Кус =200 Ом.

Итак

1-я схема

2-я схема

Кус

150

5

Rвх, Ом

1800

0,05

Rвых, Ом

1000

1000

Похожие материалы

Информация о работе