Практикум по радиоэлектронике. Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT): Методические указания к лабораторной работе № 11, страница 4

Используя коммутатор S, включите последовательно с выходом генератора активное сопротивление 100Ω. Во сколько раз при этом изменятся временные параметры: t_d(ON), t_r, t_d(OFF), t_f?

6.3 Измерение параметров источника тока

Соберите схему линейного источника тока как показано на рис. 11. Источник переменного ЭДС E используется для задания тока. Операционный усилитель K обеспе­чи­вает отрицательную обрат­ную связь. Для измерения выходного тока источника используется шунт R. Установите значение тока примерно равное 40 mA. Проделайте два измере­ния напряжения на резисторе 560 Ω сразу после включения и через 10 минут. Используя справочное значение температурного коэффициента сопротивления (10^–3 1/ºС) вычислите, на сколько градусов прогрелся резистор за это время.

Измерьте точное значение выходного тока. Далее, не выключая питания подключите параллельно сопротивлению 560 Ω резистор 220 Ω. Повторно измерьте значение тока. По результатам измерений вычислите выходное сопротивление источника тока.

7. Контрольные вопросы

1. Почему в работающих платах нельзя оставлять «затвор» IGBT незапаянным?

2. Как будет выглядеть осциллограмма отпирания – запирания IGBT в отсутствии динамической емкости?

3. Покажите на ВАХ IGBT область, где транзистор работает в ключевом режиме и область, которая используется для работы источника тока.

Литература

1.  Хоровиц П., Хилл У. Искусство схемотехники. М.: Мир 1983г. Т. 1.

2.  Семенов Б. Ю. Силовая электроника от простого к сложному. М.: СОЛОН–ПРЕСС. 2006 г.

Приложение

Рис. 12. Структурная схема демонстрационной платы

G – генератор прямоугольных импульсов частотой 100 Hz

E – регулируемый источник ЭДС

S – ручной коммутатор (S1÷S4 – набор переключателей для внутренних коммутаций)

VT – исследуемый IGBT

R – шунт для измерения тока «эмиттера»; сопротивление шунта: 1 Ω

Jx1÷Jx4 – гнезда для внешних коммутации

K – операционный усилитель.

Оглавление

1. Введение. 3

2. Теоретические сведения. 4

3. Частотные характеристики. 5

4. Потери мощности. 7

5. Линейный источник тока. 7

6. Практические задания. 8

6.1 Измерение ВАХ IGBT. 8

6.2 Измерение динамических характеристик IGBT. 9

6.3 Измерение параметров источника тока. 9

7. Контрольные вопросы.. 10

Литература. 10

Приложение. 11

 

Учебное издание

Беликов Олег Витальевич

Практикум по радиоэлектронике

Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT)

Методические указания к лабораторной работе № 11 практикума

Учебное пособие

                                                                              Редактор Е. В. Дубовцева

                                                                                                   Подписано в печать 24.11.2009

                                                                                        Формат 60´84 1/16. Офсетная печать.

                                                                                                      Уч.-изд. л. 0,75. Тираж 60 экз.

                                                                                                                                 Заказ №  

                                                                                         Редакционно-издательский центр НГУ

                                                                                    630090, Новосибирск-90, ул. Пирогова, 2.