Лазеры с вертикальным резонатором на основе квантовых ям, страница 11


Таблица 2.  Описание структуры ЛВР-1.

Состав:

 AlxGa1-xAs

InyGa1-yAs

Толщина слоя, нм

Легирование

Температура роста, С
Примечание

Конец структуры

x=0

47

Be:1e19

T=480

Конец периода

x=0

56

Be:1e18

T=480

x=0.45

15

Be:5e18

T=480

x=0.9

65

Be:1e18

T=480

x=0.45

15

Be:1e18

T=480

Начало периода

20 периодов

x=0

56

Be:1e18

T=480

x=0.45

15

Be:5e18

T=480

x=1

66

Be:1e18

T=480

апертура

x=0.45

15

Be:1e18

T=480

x=0.39

106

нет

T=520

x=0

10

нет

T=520

y=0.2

8

нет

T=520

КЯ

x=0

10

нет

T=520

y=0.2

8

нет

T=520

КЯ

x=0

10

нет

T=520

y=0.2

8

нет

T=520

КЯ

x=0

10

нет

T=520

x=0.39

106

нет

T=580

x=0.45

15

Si: 1e18

T=580

x=0.9

65

Si: 1e18

T=580

x=0.45

15

Si: 5e18

T=580

Конец периода

x=0

56

Si: 1e18

T=580

x=0.45

15

Si: 1e18

T=580

x=0.9

65

Si: 1e18

T=580

x=0.45

15

Si: 5e18

T=580

Начало периода

22 периода

Буфер

~300

Si: 2e18

T=580

GaAs (001) подложка

n-тип


Таблица 3.  Описание структуры ЛВР-2.

Состав:

AlxGa1-xAs

InyGa1-yAs

Толщина слоя, нм

Легирование

Примечание

Конец структуры

S толщина = 5165nm

X=0

42

нет

l»930.3нм

Конец периода

X=0

56

нет

X=0.2

10

Нет

Подлежит окислению

X=0.94(A)

136

Нет

Подлежит окислению

X=0.2

10

Нет

Подлежит окислению

Начало периода

Нет

5периодов(A)

X=0

47

Нет

X=0

48

Be: 1e19

X=0

193

Be: 1e18

X=0.9

40

Be: 2e18

Подлежит окислению

X=1.0

10

Be: 2e18

Подлежит окислению

X=0.9

10

Be: 2e18

Подлежит окислению

X=0

38

Нет

Y=0.2(A)

8(A)

Нет

КЯ

X=0

60

Нет

X=1.0

2.26 

Si: 2e18

8 ML AlAs

X=0

62

Si: 1e17

Конец периода

X=1.0

79

Si: 2e18

X=0

65

Si: 2e18

Начало периода

25периодов(A)

Буфер

~500

Si: 2e18

GaAs (001) подложка.

n-тип

(A)– варьируемый  параметр