Исследование характеристик полупроводниковых приборов (Лабораторная работа № 2)

Страницы работы

11 страниц (Word-файл)

Содержание работы

Лабораторная работа № 2

Исследование характеристик полупроводниковых приборов.

Цель работы. Изучить принцип действия и характеристики биполярного транзистор (БТ), полевого транзистора (ПТ) и тиристора. Определить основные параметры приборов.

1. Содержание работы

1.1. Исследование входных и выходных характеристик БТ. Определение параметров rвх, gвых..

1.2. Исследование усилительных свойств БТ. Определение коэффициента усиления β.

1.3. Снятие выходных и сток - затворных характеристик ПТ с управляющим р - n переходом Определение параметров Iс.нач., S, Uотс.

1.4. Ознакомление с работой тиристора и определение его параметров Uу.от., Iу. от., Uотк..

2. Общая часть.

2.1. Входные характеристики БТ (рисунок 1) для схемы ОЭ показывает зависимость Iб = f(Uб.э.) при  Uкэ  = const. Эти характеристики дают возможность определить входное сопротивление БТ по постоянному току   rвх=  и по переменному току (дифференциальное) rвх≈ :

rвх=  = Uб.э / Iб = tg Q                                    rвх≈ = h11 = ∆Uб.э /∆ Iб = tg γ

Рисунок 1. Входные характеристики биполярного транзистора.

Выходные характеристики БТ отражают зависимость Iб = f(Uб.э.) при Iб = const (рисунок 2) позволяет определить выходную проводимость по постоянному и переменному току:

gвых=  = Iк   / Uкэ = tg Q                                    gвых≈ = h22 = ∆ Iк /∆ Uкэ = tg γ


Рисунок 2. Выходные характеристики биполярного транзистора.

Рисунок 3. Усилительные свойства БТ (где β - коэффициент передачи тока).

2.2. Характеристики полевого транзистора.

Выходные характеристики ПТ Iс = f(Uси.) аналогичны характеристикам БТ, с тем отличием, что вместо Iб фигурирует напряжение на затворе Uзи.  (рисунок 2). Для исследования ПТ необходимо использовать характеристику передачи или сток - затворную, которая представлена на рисунке 4.

Рисунок 4. Сток - затворная характеристика полевого транзистора.


3. Порядок проведения работы.

3.1. Снять и построить характеристики биполярною транзистора KT603A проводимости  n - p - n включенного по схеме с ОЭ. Для этого с помощью перемычки соединить клеммы Х’ н Х5 на схеме для исследования транзистора (рисунок 5) и включить источники питания цепи базы U1 и коллекторной цепи U2 положительной полярности

3.1.1 Входные характеристики Iб = f(Uб.э.)  снять при двух значениях коллекторного напряжения Uкэ = const. Установка тока базы Iб производится регулятором напряжения R1, а измерение этого тока осуществляется методом измерения падения напряжения. Для этого на резисторе R3 = 10 кОм. включенном в цепь базы, измеряется вольтметром падение напряжения ∆U (клеммы Х10 я Х13), а затем значение тока Iб  определяется по формуле

Iб = ∆U / R3 = 0.1 * ∆U (мкА),    где ∆U показания вольтметра (мВ).

После установки Iб один провод вольтметра из гнезда источника (Х10) питания U1 переключается на общий провод (Х5 - эмиттер) и измеряется напряжение Uб.э. Коллекторное напряжение Uкэ (клеммы X11 и Х5) устанавливается регулятором R2 и измеряется вольтметром.

Результаты и измерений занесите в таблицу 1.

Iб, мА

0

0,019

0,039

0,062

0,077

0,103

0,119

0,134

Uкэ, В

Uбэ, В

0

0,038

0,042

0,044

0,044

0,045

0,046

0,046

0

0

0,05

0,054

0,056

0,057

0,059

0,06

0,06

4

Построить входные характеристики БТ.

 


По экспериментальным данным определить входное сопротивление транзистора по постоянному току:

rвх = h11 при Iб = 60 мкА

3.1.2. Выходные характеристики  Iк = f(Uкэ.) снять при трех значениях тока базы Iб. Результаты измерении занести в таблицу 2.

Измерение напряжения Uк.э. (X11 н Х5) и тока базы Iб (клеммы Х10 и Х13) производится с помощью вольтметра, а коллекторного тока Iк миллиамперметром (Х2 и ХЗ).

Построить выходные характеристики.

 


По полученным данным определить выходную проводимость транзистора gвых=  и  gвих~ = h22 при       Uк.э = 2 В, Iб = 75 мкА.

Похожие материалы

Информация о работе