Транзисторные умножители частоты

Страницы работы

Содержание работы

МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ

ФЕДЕРАЛЬНОЕ АГЕНТСТВО ПО ОБРАЗОВАНИЮ

ЮЖНЫЙ ФЕДЕРАЛЬНЫЙ УНИВЕРСИТЕТ

ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЙ ИНСТИТУТ

ЮЖНОГО ФЕДЕРАЛЬНОГО УНИВЕРСИТЕТА В г. ТАГАНРОГЕ

Реферат

по курсу УГиФС

«Транзисторные умножители частоты»

Выполнил:

Рудь Д. Е.

Проверил:

Алексеев Ю. И.

Таганрог 2007

Расчет УЧ на транзисторе представляет сложную задачу, поскольку последний является нелинейным элементом, обла­дающим заметной инерционностью в рабочем диапазоне частот. Эквивалентная схема транзистора для малых сигна­лов показана на рис. 1.23.

На схеме показаны выводы базы «б», эмиттера «э» и кол­лектора «к». Кроме того, на рис. 1.23 буквой «п» условие обозначена вторая точка эмиттерного перехода, которая является внутренней точкой транзистора. Напряжение на этом переходе uп определяет свойства транзистора, как активного элемента.                                  

Левая часть схемы (ветвь бпэ) по существу эквивалентна варикапу (рис. 1.13), в котором отброшена индуктивность выводов, поскольку транзисторы обычно работают на таких частотах, где влияние их ничтожно. Сопротивление rs представляет собой сопротивление мате­риала базы (сопротивление базы). Оно остается при­близительно постоянным при изменении напряжения. Емкость эмиттерного перехода Сэ эквивалентна барьерной емкости варикапа. Параллельно емкости эмиттерного перехода вклю­чается проводимость открытого перехода gпи диффузионная емкость перехода Сд. Ток через эти два элемента существен только в активной области (переход открыт), когда он очень резко зависит от напряжения на переходе (1.56), (1.57). Емкость коллекторного перехода Скп зависит от при­ложенного к ней  напряжения  по  тем же законам, что и емкость Сэ (1.42). Параллельно ей включается проводи­мость утечки закрытого коллекторного перехода. Однако на радиочастотах этой проводимостью практически всегда можно пренебречь по сравнению с проводимостью ёмкости Скп. Поэтому на рис. 1.23 она не показана.

Емкость между коллектором и базой Скб можно считать постоянной. Эта емкость очень существенна при исследо­вании усилителей, поскольку она определяет в них пара­зитную обратную связь. В УЧ, когда частоты сигналов на входе и выходе существенно различны, эту емкость мож­но просто пересчитать к зажимам база — эмиттер и коллек­тор — эмиттер, а потому учет ее не представляет труда. Наконец, на рис. 1.23 изображен генератор коллектор­ного тока, определяющий свойства транзистора, как актив­ного элемента. Мгновенное значение тока этого генератора определяется напряжением на переходе и имеет существенную величину только в активной области, когда переход открыт

                                                     (1.71)

Ток генератора пропорционален току через проводимость открытого пере­хода gп и заряду в диффузионной емкости Сд. Таким обра­зом, можно записать

Входящий сюда параметр β есть коэффициент усиления транзистора по току в схеме с общим эмиттером. Это видно из рассмотрения статического случая, когда емкостные токи отсутствуют, а β есть отношение тока коллектора к току базы.

Итак, из всех элементов эквивалентной схемы транзисто­ра (рис. 1.23) в активной области очень существенно (по экспоненте) меняются три параметра (Сд, gп, iк). Остальные элементы меняются много медленнее в первом приближении их можно принять постоянными. Такое допу­щение тем более оправдано, что основное изменение этих последних происходит в пассивной области, когда ток кол­лектора равен нулю и которая поэтому представляет мень­ший интерес, чем активная область.

Похожие материалы

Информация о работе