Рабочие характеристики усилителя мощности, страница 2

Неискажённое усиление модулированных колебаний возможно ес­ли режим транзистора недонапряжённый, а Е_б=Е'_б. В этом случае θ=90°=const, a I_к1=0,5SU_б. Статическая модуляционная характеристика для этого случая показана на рис.2.3.

Для лучшего использования транзистора и увеличения КПД рекомендуется максимальный режим, соответствующий U_б = U_{б макс} (см. рис.2.3), выбирать критическим по напряженности. Если одновременно с увеличением U_б таким образом увеличивать Е_к, чтобы в каждой точке ста­тической модуляционной характеристики режим транзистора был крити­ческим, то зависимость I_к1(U_б, E_к) будет линейной (см. пунктирную ли­нию на рис.2.3).

Для получения комбинированной (двойной) модуляции транзи­сторного УМ надо синфазно осуществить коллекторную модуляцию и выходного, и предоконечного (одного или нескольких) каскадов. При этом в предоконечном каскаде будет осуществляться обычная коллектор­ная модуляция, а в выходном - комбинированная (режим усиления моду­лированных колебаний при одновременной коллекторной модуляции).

Лабораторное задание

Таблица 2.1

Статические модуляционные характеристики при базовой модуляции

Таблица 2.2

Статические модуляционные характеристики при коллекторной и комбинированной модуляции