Разработка структурной схемы и расчет принципиальной схемы радиоприемного устройства, страница 5

В состав микросхемы входят: усилитель высокой частоты; балансный смеситель с отдельным гетеродином; каскад АРУ. Основные параметры ИМС К174ХА15 приведены в таблице 1.1.

Таблица 1.1 - Основные параметры ИМС К174ХА15

Электрические параметры

Номинальное напряжение питания……………..

Входное напряжение ВЧ…………………………

Ток потребления при Uп = 9 В…………………..

Коэффициент усиления напряжения при

Uп = 8,55 В, Uвх = 1 мВ, fвх = 69 МГц……………

Коэффициент шума при Uп = 9 В, fвх = 69 МГц...

Частота входного сигнала………………………..

Сопротивление нагрузки по выходу ПЧ в   

типовой схеме включения………………………..

9 В ± 5%

100 мВ

30 мА

³ 22 Дб

10 Дб

108 МГц

³ 390 Ом

Предельно допустимые режимы эксплуатации

Напряжение питания……………………………

Входное напряжение ВЧ……………………….

Частота входного сигнала………………………

Температура окружающей среды………………

8,45…9,45 В

1 мВ

60 МГц

- 25.. + 70° С

                                                                                                                                                   ИМС К174ХА6 содержит усилитель-ограничитель, детектор уровня, частотный детектор, стабилизатор напряжения, триггер и усилитель напря­жения автоматической подстройки частоты (АПЧ). Основные параметры ИМС К174ХА6 приведены в таблице 1.2.

Таблица 1.2 - Основные параметры ИМС К174ХА6

Параметр

Норма параметра

1.

2.

3.

4.

5.

6.

7.

8.

Номинальное напряжение питания, В

Ток потребления, мА, не более

Входное напряжение ограничения, мкВ, при fвх=10,7МГц, не более

Выходное напряжение низкой частоты, мВ, при Uвх=10 мВ, не менее

Коэффициент ослабления АМ, дБ, не менее

Коэффициент гармоник, % , не более

Напряжение питания,

 Максимальное сопротивление по постоянному току между выводами 17 и 18, Ом

Рабочий диапазон температур, °С

9 ± 1,2

16

60

160

46

1

4,5…18

390

- 25…+55

1.4 Расчёт реальной чувствительности

Реальная чувствительность приемника рассчитывается по формуле:

,                                                                 (1.9)

где Е - чувствительность в единицах напряжённости поля, В/м;

hд - действующая высота антенны, м.

 Для штыревой антенны hд =,

.

Тогда реальная чувствительность приемника будет равна:

мкВ.

Ориентировочно определим напряжение на входе первой микросхемы:

,                                           (1.10)

где к0вх - коэффициент передачи входной цепи для одноконтурной входной цепи с наружной ненастроенной антенной (ориентировочные значения 0,2…0,3).

Так как (Uмс =5мВ)>(Uвхмс = 26 мкВ), то необходимо включить внешний резонансный УРЧ. В первых каскадах приёмников необходимо учитывать шумовые свойства активных элементов. Входные каскады приёмников рекомендуется строить на полевых транзисторах, т. к. при этом реализуются их преимущества: малый коэффициент шума и большое входное сопротивление, что обеспечивает высокую избирательность и большой коэффициент передачи входной цепи. Кроме того, полевые транзисторы имеют квадратичную характеристику, что обеспечивает большой динамический диапазон уровней усилителя (или преобразователя), а следовательно хорошую многосигнальную избирательность. Заметим, что, несмотря на малый коэффициент усиления каскада на полевом транзисторе, общий коэффициент передачи тракта входная цепь - усилитель радиочастоты, получается таким же, как на биполярном транзисторе при лучших шумовых и линейных свойствах. В УПЧ, предоконечных и оконечных каскадах УНЧ предпочтение отдаётся биполярным транзисторам из-за их более высокого коэффициента усиления.

Выберем транзистор КТ307В с параметрами, приведёнными в таблице 1.3.