Исследование полупроводникового биполярного транзистора

Страницы работы

Содержание работы

ГУАП

КАФЕДРА № 53

ОТЧЕТ
ЗАЩИЩЕН С ОЦЕНКОЙ

ПРЕПОДАВАТЕЛЬ

проф., д.т.н.

Зиатдинов С.И.

должность, уч. степень, звание

подпись, дата

инициалы, фамилия

ОТЧЕТ О ЛАБОРАТОРНОЙ РАБОТЕ

Исследование полупроводникового биполярного транзистора

по курсу:

ЭЛЕКТРОНИКА

РАБОТУ ВЫПОЛНИЛА

СТУДЕНТКА ГР.

Санкт-Петербург
2010


Цель работы

Изучение и практическое исследование работы и характеристик полупроводникового биполярного транзистора.

Схема экспериментальной установки

Рис.1.Схема исследования входной ВАХ

Рис.2.Схема исследования выходной ВАХ

Результаты эксперимента

  1. Исследование зависимости тока базы от напряжения между эмиттером и базой при постоянном напряжении между эмиттером и коллектором.

Таблица 1.

Uкэ=10 В

Uбэ, В

0,1

0,2

0,3

0,4

0,5

0,6

0,7

0,8

0,9

1

1,1

1,2

1,3

1,4

1,5

Iб, мА

0,1

0,2

0,27

2

3

4

8

9

11

17

27

32

36

43

57

Таблица 2.

Uкэ=50 В

UБэ, В

0,1

0,2

0,3

0,4

0,5

0,6

0,7

0,8

0,9

1

1,1

1,2

1,3

1,4

1,5

Iб, мА

0,1

0,2

0,27

2

3

4

8

9

12

17

22

26

28

34

36


  1. Исследование зависимости тока коллектора от напряжения между эмиттером и коллектором при постоянном токе базы.

Таблица 3.

IБ = 6 мА

UБ = 600 В

0,05

0,1

0,2

0,5

1

2

4

6

8

10

1,8

10,8

30,8

56

58

64

67

89

92

114

Таблица 4.

IБ = 12 мА

UБ = 1200 В

0,05

0,1

0,2

0,5

1

2

4

6

8

10

5

24

68

181

204

210

212

227

258

270

Выводы

Полупроводниковый биполярный транзистор – это электронное устройство, работа которого основана на двух взаимодействующих p-n-переходах.

Входная Вольт-Амперная характеристика (ВАХ) транзистора – это зависимость тока базы от напряжения между эмиттером и базой при постоянном напряжении Uкэ. В лабораторной работе мы исследовали эту зависимость при Uкэ=10 В и Uкэ=50 В. Получившиеся ВАХ представлены на рис. 3. По рисунку видно, что при увеличении Uкэ ток базы будет уменьшаться. Это связано с тем, что при увеличении напряжения Uкэ меньше дырок рекомбинируют с электронами в базе, и они в большом количестве поступают из базы в коллектор.

Выходная ВАХ биполярного транзистора – это зависимость тока коллектора от напряжения между эмиттером и коллектором при постоянном токе базы. Мы исследовали ВАХ при IБ = 6 мА и IБ = 12 мА. Они представлены на рис. 4. При малых значениях Uкэ наблюдается резкий рост тока IБ, так как дырки из цепи эмиттера в большом количестве инжектируются в область базы и даже при небольшом напряжении между эмиттером и коллектором поступают из цепи базы в цепь коллектора. Однако при Uкэ≥ Uкэ min практически все дырки, поступившие из цепи эмиттера в базу, переходят в коллектор, и дальнейшего роста тока коллектора почти не происходит.

Похожие материалы

Информация о работе