Изучение свойств собственных и примесных полупроводников и выполненных на их основе различных типов полупроводниковых резисторов

Страницы работы

4 страницы (Word-файл)

Содержание работы

1.  Цель работы:

Изучение свойств собственных и примесных полупроводников и выполненных на их основе различных типов полупроводниковых резисторов, изучение методики измерения основных характеристик и параметров терморезисторов и фоторезисторов.

2.  Схемы исследований:


Рис. 1


Рис. 2


Рис. 3

3.  Таблицы и графики:

Таблица 1

U1, B

0

5

10

15

20

25

30

U2, B (t=1c)

0

0,8

1,8

2,52

3

3,4

3,6

U2, B (t=30c)

0

1

2

5,2

10,5

16

23,2

Uт, B (t=1c)

0

4,2

8,2

12,48

17

21,6

26,4

Uт, B (t=30c)

0

4

8

9,8

9,5

9

6,8

Iт,мА (t=1c)

0

1,56

3,52

4,94

5,88

6,66

7,05

Iт,мА (t=30c)

0

1,96

3,92

10,1

20,5

31,3

45,4

P, Вт

0

7,84

31,37

99,9

195,5

282,3

309,3

R, Ом

2040

2040

961,1

461,4

286,8

149,4

Таблица 2

Uт, В

0

2

4

6

8

10

12

Iт,мА (t=1c)

0

9

20

30

55

70

90

Iт,мА (t=30c)

0

12

28

50

55

45

38

P, Вт

0

24

112

300

440

450

456

R, Ом

166,6

142,8

120

145,4

222,2

315,7

Таблица 3

U, B

0

1

2

3

E, лк

Iии, мА

I, мА

0

0,6

1,1

1,4

50

8,5

I, мА

0

1,6

3,1

4,2

100

10,5

I, мА

0

2,9

5,5

8,2

300

12,5

I, мА

0

4,9

9,1

13

1000

14,5

Графики:



 


Вывод:

Изучил свойства собственных и примесных полупроводников и выполненных на их основе различных типов полупроводниковых резисторов; изучил методику измерения основных характеристик и параметров терморезисторов и фоторезисторов.

Похожие материалы

Информация о работе