Изучение свойств выпрямительных полупроводниковых диодов (германиевого и кремниевого) и кремниевого стабилитрона, измерение их вольтамперных характеристик и определение основных параметров

Страницы работы

Содержание работы

СПб ГУАП

Кафедра № 25

Рейтинг за работу: __________________________.                                              

Преподаватель:                                                                                                        Опарин В.В.                                   

Отчёт

О лабораторной работе № 3 по курсу

«Электроника»

«Исследование полупроводниковых диодов»

Работу выполнил

студент группы № 2051                                                                                          Абрамов Д.А.

С-ПЕТЕРБУРГ

2002

1. Цель работы.

Цель работы: изучение свойств выпрямительных полупроводниковых диодов (германиевого и кремниевого) и кремниевого стабилитрона, измерение их вольт-мперных характеристик и определение основных параметров.

2. Схемы исследования.

Схема измерения прямой ветви вольт-мперной характеристики германиевого и кремниевого диодов и стабилитрона:

Схема измерения обратной ветви вольт–амперной характеристики стабилитрона:

Схема измерения вольт-амперной характеристики туннельного диода:

3. Результаты измерений и вычислений.

ВАХ для прямой ветви с кремниевым диодом.

Таблица №1

Iпр, мА

0

10

20

30

40

80

120

160

200

240

280

Uпр, В

0

0,54

0,56

0,58

0,59

0,61

0,63

0,63

0,64

0,66

0,66

Определение дифференциального сопротивления в точке при Iпр=200 мА.

ВАХ для прямой ветви с кремневым стабилитроном.

Таблица №2

Iпр, мА

0

10

20

30

40

80

120

160

200

240

280

Uпр, В

0

0,52

0,65

0,66

0,67

0,68

0,69

0,7

0,71

0,72

0,72

ВАХ для обратной ветви с стабилитроном.

Таблица №3

U2, B

0

0,5

1

1,5

2

2,5

3

3,5

4

4,5

5

U1, B

0

5,3

6

6,5

7,1

7,7

8,2

8,7

9,3

9,8

10,4

Iобр, мА

0

0,98

1,96

2,94

3,92

4,90

5,88

6,86

7,84

8,82

9,80

Uобр, B

0

4,8

5

5

5,1

5,2

5,2

5,2

5,3

5,3

5,4

Нагрузочная характеристика построена по точкам на осях

формуле , где =-8 В и R=510 Ом.

Iобр, мА

-15,69

0

Uобр, B

0

-8

Определение дифференциального сопротивления

ВАХ туннельного диода.

U1, B

0

0,05

0,1

0,15

0,2

0,25

0,3

0,35

0,4

0,45

U2, B

0

0,02

0,07

0,13

0,18

0,22

0,27

0,31

0,36

0,39

I1, мА

0

4,4

4,3

4,7

5

6

7,1

8,4

11

14,8

Iд, мА

0

4,4

4,3

4,7

5

5,99

7,09

8,39

10,99

14,79

 Определение минимального дифференциального сопротивления на

Падающей ветви ВАХ туннельного диода.

Похожие материалы

Информация о работе