Изучение принципа действия, измерение статических характеристик биполярных транзисторов для схем включения с обшей базой и общим эмиттером

Страницы работы

Содержание работы

1.  Цель работы:

Изучение принципа действия, измерение статических характеристик биполярных транзисторов для схем включения с обшей базой (ОБ) и общим эмиттером (ОЭ), определение их основных параметров

2.  Схема лабораторной установки:

рис. 1 схема для измерения статических характеристик БПТ включенного по схеме с ОБ

рис. 2 схема для измерения статических характеристик БПТ включенного по схеме с ОЭ.

3.  Расчеты и построения:

Таблица 1

Iэ мА

0

0,2

5

10

15

20

25

Uкб=0В

Uэб В

0

0,54

0,72

0,79

0,85

0,9

0,95

Uкб=4В

0

0,6

0,77

0,82

0,85

0,89

0,9

Uкб=8В

0

0,58

0,7

0,76

0,8

0,84

0,88

Таблица 2

Uкб В

0

1

2

3

4

5

6

7

8

Iэ=5 мА

Iб мА

5

5

5

5

5

5

5

5

5

Iэ=10 мА

10

10

10

10

10

10

10,1

10,2

10,4

Iэ=15 мА

15

15

15

15,1

15,2

15,2

15,3

15,4

15,5

Iэ=20 мА

20

20

20

20,1

20,2

20,2

20,3

20,4

20,5

Iэ=25 мА

25

25

25

25,1

25,4

26

26,1

26,4

27

Таблица 3

Iб мА

0

0,01

0,1

0,2

0,3

0,4

0,5

0,6

0,7

0,8

Uкэ=0В

Uбэ В

0

0,5

0,56

0,6

0,61

0,62

0,65

0,66

0,66

0,66

Uкэ=2В

0

0,62

0,68

0,71

0,73

0,75

0,75

0,76

0,77

0,78

Uкэ=8В

0

0,61

0,68

0,71

0,73

0,74

0,75

Таблица 4

Uкэ В

0

1

2

3

4

5

6

7

8

Iб=0,1 мА

Iк мА

0

5

6

6

6

6

6

6

6

Iб=0,2 мА

0

9,5

10

10

10

10

10

10

10

Iб=0,3 мА

0

13

13,4

13,5

13,6

13,7

14

14

14

Iб=0,4 мА

0

18

18,4

18,6

19

19,2

19,4

19,6

20

Iб=0,5 мА

0

20

21

22

23

24

24

24

24

Графики:





Вывод:

Изучил принцип действия, измерил статические характеристики биполярных транзисторов для схем включения с обшей базой (ОБ) и общим эмиттером (ОЭ), определил их основные параметры.

Похожие материалы

Информация о работе