По завершению оптимизации, в САПР МПЛ выполняется конструкторский этап проектирования, состоящей в получении конструкторской документации (КД) и УПЛ. УПЛ для сверления не требуется, нет необходимости в получении УПЛ контроля, т. к. установки контроля МПЛ, управляемые от УПЛ, в промышленности не выпускаются. В качестве КД получаются таблицы координат топологии, чертежи слоев, сборочный чертеж. УПЛ получают либо для координатографа типа КПА-1200, либо для фотонаборной установки типа ЭМ-549.
Идея формирования «кадра» для КПА-1200 аналогична идее «кадра» для «МИНСК-2005» и несколько проще, чем у «МИНСК-2005».
Характерным представителем САПР МПЛ является ППП ПРАМ-0.3, входной язык - П/77. Внутренний язык имеет выход на ЯГТИ. Выходной язык - КПА-1200. Описание ЭРЭ и БЭ - на уровне S-матриц.
ППП ПРАМ-0.3 обеспечивает моделирование и расчет линейных и квазилинейных МПЛ-устройств, т. к. нелинейности описываются в моделях ЭРЭ и БД не более чем по 3-м точкам (т. е. S-матрицы заданы в 3-х точках вольтамперной характеристики ВАХ).
ППП ПРАМ-0.3 обеспечивает хорошее совпадение результатов расчета с результатами макетирования в диапазоне рабочих частот до 2 ГГц, удовлетворительно - до 4 ГГц, качественные результаты - до 8 ГГц.
Для описания одного БЭ, для его занесения в БД БЭ, требуется разработать 3 программы (на PL/1), с общим количеством операторов - 100, математический аппарат - S-матрицы, функции Бесселя и т. п.
Время разработки алгоритма, программирования и отладки модели одного БЭ около 3-х месяцев.
Как следует из рассмотрения САПР МПЛ, в данном случае задача моделирования уже не относится к САПР печатных структур и составляет суть задачи анализа электрической схемы РЭА.
80. Основы проектирования приборов на ПАВ. Частотный диапазон. Характеристики. БЭ структуры. БД САПР АЭУ(синтез). Применение АЭУ. Структурная схема и техпроцесс проектирования устройств на ПАВ. Синтез геометрии. Идея использования ВШП. ФШ. КД.
Отличие САПР ПАВ от остальных САПР печатных структур состоит в том, что в данном случае выполняется прямой синтез топологии печатной структуры устройства на ПАВ - по заданным электрическим характеристикам (параметрам) проектируемого устройства.
УПЛ для изготовления фотошаблонов (ФШ) получают для КПА-1200 в большом масштабе с целью обеспечения требуемой точности изготовления ФШ, что трудоемко. Лучшие результаты будут в случае получения УПЛ для фотонаборной установки типа ЭМ-549.
 |
81. Сравнение печатных структур (ДПП, БИС, ПАВ, МПЛ) с позиции алгоритма трассировки в САПР и плотности монтажа, частотного диапазона и технологий изготовления ПС. Материалы. Изготовление. Применение. Виды КД. Классификация Soft.
Если задача прокладки трассы на ДПП между точками А и В состояла только в нахождении кратчайшего пути А à В (удовлетворяющего заданным технологическим ограничениям, например, минимальный зазор между металлизированными участками при заданной ширине трассы), то задача прокладки связи А à В на МПЛ плате сводится к расчету формы и размеров участка связи при заданных электрических параметрах ( волновое сопротивление - Р, полоса пропускания F0.7, К.С.В., затухание, фазовый сдвиг, характер изменения АЧХ и ФЧХ в заданном диапазоне частот).
Таким образом, задача трассировки ДПП формулируется в
виде правила:
MIN {L}
d (1)
g
где, L - длина участка связи (трассы) от А к В;
d - зазор между любыми металлизированными участками на ДПП;
 |
Задача прокладки связи на МПЛ (реализация топологии МПЛ) формулируется в виде правила:
И эта задача не разрешима в общем виде. По существу, выражение (2) определяет правило синтеза топологии на МПЛ-плате для выполнения заданных электрических параметров схемы СВЧ.
В соответствии с этим, в САПР МПЛ (в настоящее время) отсутствуют алгоритмы размещения и трассировки.
 |
 |
Уважаемый посетитель!
Чтобы распечатать файл, скачайте его (в формате Word).
Ссылка на скачивание - внизу страницы.