2.1.2 Установка AvantGaard 676
Установка AvantGaard 676 предназначена для химико-механической планаризации слоев окисла кремния и металлов.
Установка (рисунок 2.1.2.1) состоит из модуля полирования 1 и электрического шкафа 2. Модуль полирования включает в себя четыре независимых узла планаризации 3, две системы кондиционирования полирующих подушек 4, систему транспортирования пластин из кассеты на позицию обработки и обратно, выполненную на базе трехкоординатного робота 5, станцию аэрозольной очистки пластин 6, две жидкостные ванны 7 для хранения 50 пластин.
 |
Рисунок 2.1.2.1 - Схема установки AvantGaard 676
Управляемый компьютером робот осуществляет загрузку, выгрузку и транспорт пластин от одной позиции к другой. Система также включает в себя датчики наличия пластин в кассетах, позволяющие автоматически считывать данные о наличии пластин в кассетах и посылать их в систему управления.
Основной чертой установки AvantGaard 676 является применение в ней новой орбитальной технологии полирования. Относительно небольшие размеры полирующих головок, характерные для орбитальной схемы, в сочетании с оптимальной компоновкой позволило разместить модуль полирования на площади 2,4 м2. Обладая производительностью 40 пластин в час, эта модель имеет очень хорошее соотношение производительность/занимаемая площадь.
Каждый полирующий узел и система транспортирования снабжены независимыми компьютерами, которые являются периферийными компьютерами системы управления. Центральный компьютер “SysCon” управляет работой локальной сети. Система управления, а также другие электронные блоки размещены в электрическом шкафу 7.
Каждый модуль планаризации может работать независимо от других; обработка пластин может производиться в любой заранее выбранной последовательности, при этом часть модулей может находиться на техническом обслуживании.
В установке предусмотрена система контроля момента окончания полирования (опция). Принцип работы системы основан на измерении момента трения полирующей головки, который зависит от обрабатываемого материала и суммарной площади поверхности выступающих элементов топологического рисунка.
Установка должна обеспечивать следующие параметры процесса:
- скорость удаления SiO2 ³ 160 нм/мин
- скорость удаления W ³ 400 нм/мин
- неравномерность скорости
- удаления на пластине £ 4 % 1d для W
- планаризация £ 0,1 мкм
Установка обладает следующими характеристиками:
- диаметр пластин 150-200 мм
- повреждение пластин 1 из 10000
- неравномерно обработанный край £ 3 мм
- рН суспензии 1-12
- расход суспензии на один
- полирующий узел 10-250 мл/мин
- ресурс полирующей подушки > 300 мин полир.
- производительность > 40 пл./час
- производительность/ед. заним. площ. 16,7 пл/час/м2
- MTBF ³ 300 часов
- MTTR £ 2 часа
Общий вид модуля полирования установки AvantGaard 676 представлен на рисунке 2.1.2.2.
Рисунок 2.1.2.2 - Общий вид модуля полирования
установки AvantGaard 676
2.1.3 Литература
1) W. O.Mara. CMP Equipment and Materials Take Semiconductor Industry by Storm. Industry News, 10/12/1998
2) K. Holland. Now to the Year 2006. Chemical Mechanical Planarization Symposium. Japan, 1997, Ref. # 4500-104901
3) R. Jairath, A. Pant, T.Mallon et al. Linear Planarization for CMP. Solid State Technology, 10, 1996, p.107-114
4) AvantGaard 676. General Specification, Rev. 082198-6
5) AvantGaard 776. General Specification, Rev. 041097-1.
3.2 Полирующая паста (суспензия)
Уважаемый посетитель!
Чтобы распечатать файл, скачайте его (в формате Word).
Ссылка на скачивание - внизу страницы.