Принципиальная схема резисторного каскада предварительного усиления гармонических сигналов на биполярном транзисторе, страница 2

6.  Удовлетворительная стабилизация тока покоя достигается, если ток делителя выбирается из соотношения: Iд5 Iб=5•42•10-6=210•10-6=210 [мкА ];

Тогда резисторы в цепи базового делителя Rб1 и Rб2 определяются следующим образом:                         Rб2=( Iк Rэ+Uбэ) / Iд   и Rб1=Eо/ Iд - Rб2,

где Uбэ0,6В – падение напряжения на переходе база-эмиттер(для кремниевых транзисторов)

Rб2=( Iк Rэ+Uбэ) / Iд   = (2,5•10-3•3,9•103+0,6) / 210•10-6= 49,3•103= 49,3[кОм ];

Из шкалы ГОСТа выбираем ближайший к расчетному номинал Rб2=51 ± 5%[кОм].

Rб1=Eо/ Iд - Rб2 = (15 / 210•10-6) - 51•103 =20,4•103=20,4[кОм ];

Из шкалы ГОСТа выбираем ближайший к расчетному номинал Rб1=20 ± 5%[кОм].

7.  Входное сопротивление транзистора находим по следующей формуле:

R вх v= r’б+(0,026/ Iк) •(1+ h 21э),

где r’б – сопротивление базы источника;

R вх v= r’б+(0,026/ Iк) •(1+ h 21э)= 40+(0,026/ 2,5•10-3) •(1+ 60) = 674,4 [Ом ];

8.  Крутизна характеристики тока эмиттера может быть определена следующим образом:

Sэ = (1+ h 21э)/( R вх v+R г эк),

где  R г эк = (1/Rг +1/ Rб1+1/ Rб2) – эквивалентное сопротивление генератора сигнала.

R г эк = (1/Rг +1/ Rб1+1/ Rб2)=(1/700 + 1/20•103 +1/51•103) =1,5•10-3=1,5 [мОм ];

Sэ = (1+ h 21э)/( R вх v+R г эк)= (1+ 60) / (674,4+1,5•10-3)=0,09

9.  Рассчитаем емкости блокировочного и разделительного конденсаторов:

Сэ – предназначен для устранения ООС по переменному току за счет Rэ.

Сэ= (1/ 2•π•fн •Rэ ) •((1+SэRэ )2 –1/кˆ2нэ) / (1/кˆ2нэ – 1);

Ср2= 1/ (2•π•fн•( Rк+ Rн ) •1/ кˆ2нр-1);

Величина допустимых искажений в области нижних частот распределяется с учетом разрешенной к применению элементной базы и других соображений между переходной цепью  кˆнр и цепью SэRэ - кˆнэ. Ограничения ориентировочно принимаем: кˆнр= кˆнэ= кˆн =0,8 = 0,89.

Сэ= (1/ 2•π•fн •Rэ ) •((1+SэRэ )2 –1/кˆ2нэ) / (1/кˆ2нэ – 1) = (1/ 2•3,14•100 •3,9•103 ) •((1+0,09•3,9•103 )2 –1/0,8) / (1/0,8 – 1) = 288•10-6= 288 [мкФ];

Ср2= 1/ (2•π•fн•( Rк+ Rн ) •1/ кˆ2нр-1)= 1/ (2•3,14•100•( 430+12•103 ) •1/ 0,8-1 ) = =256•10-9= 256 [нФ];

Из шкалы ГОСТа выбираем ближайший к расчетному номинал Ср2 =270 ± 5%[нФ].

Из шкалы ГОСТа выбираем ближайший к расчетному номинал Сэ =300 ± 5%[мкФ].

10. Коэффициент усиления напряжения определяется следующим образом:

к = h 21э / R вх v R в экв = 60/ 674,4•426,3 = 37,92;

11. Для обеспечения возможности расчета предыдущего каскада определяем входное сопротивление R’н и входную емкость С’н рассчитываемого каскада:

R’н=(1/ Rб1 + 1/ Rб2+ 1/ Rвх v) –1;

С’н= (0,16 / fт rэ) + Ск(1+к);

где Rб1, Rб2 – резисторы в цепи базового делителя;

       Rвх v – входное сопротивление транзистора;

       Ск – емкость коллекторного перехода;

       fт – граничная частота транзистора;

       к – коэффициент усиления каскада;

       rэ = 0,026 / I к = 0,026 / 2,5•10-3 = 10,4 [Ом]– сопротивление эмиттера;

       I к – ток покоя.

R’н= (1/ Rб1 + 1/ Rб2+ 1/ Rвх v) –1 = (1/ 20•103 + 1/ 51•103 + 1/ 674,4) –1=644,16 [Ом]

С’н= (0,16 / fт rэ) + Ск(1+к) = (0,16 / 250•106 •10,4) + 7•10-12 (1+37,92) = 333,98•10-12= 333,98[пФ]

12.  Определим величину разделительного конденсатора Ср1:

Ср1= 1/ (2•π•fн•( Rг+ R’н  ) •1/ кˆ2нр-1)= 1/ (2•3,14•100•( 700+644,16 ) •1/ 0,8-1 ) = =2,37•10-6= 2,37 [мкФ];

Из шкалы ГОСТа выбираем ближайший к расчетному номинал Ср1 =2,4 ± 5%[мкФ].

13.   Вычислим значение амплитуды входного сигнала Uвх рассчитываемого каскада:

Uвх= Uн /к ;

Uвх= Uн /к = 0,4 / 37,92 = 10,5•10-3=10,5 [мВ]

14. Итак, на принципиальной схеме резисторного каскада предварительного усиления покажем рассчитанные параметры элементов схемы:

Задача №2.

Начертить принципиальную схему инвертирующего усилителя на операционном усилителе без указания цепей подачи питания, коррекции АЧХ и элементов балансировки. Рассчитать параметры элементов принципиальной схемы кроме разделительного конденсатора, определить максимально допустимую амплитуду входного сигнала и частоту полюса АЧХ спроектированного усилителя, глубину обратной связи F.

Исходные данные для расчета (параметры микросхем широкого применения серий К 140, К 544, К 553 и др.):