Материаловедение: общие сведения о материалах, страница 35

ПОДВИЖНОСТЬ НОСИТЕЛЕЙ - отношение их средней скорости направленного (не хаотического) движения к напряженности электрического поля

ГЕРМАНИЙ - обнаружен в 1886 г. немцем К. Винклером: IV группа; дефицитен: 0.001% земной коры; температура плавления 936°С, плотность 5.35 т/м3; кристаллы ковалентные, IV группа; нетехнологичен: хрупок, обрабатывают алмазными и абразивными инструментами; слабо токсичен (избегать длительного воздействия); рабочая температура -60...70°С; транзисторы, тензодатчики, фотодиоды...

КРЕМНИЙ - обнаружен в 1811 г. (IV группа), но широко применяется лишь последние 40 лет; распространен: 25% земной коры (кварц); температура плавления 1420°С; токсичен при обработке: силикоз (легкие); диоды, транзисторы, тиристоры, интегральные схемы...

КВАРЦ -  SiО2 - исходный материал для получения кремния, кварцевого стекла...

СЕЛЕН - IV группа; аллотропен: существует в виде стеклообразной, аморфной, моноклинной и гексагональной модификаций; распространен, но рассеян; требует глубокой очистки; выпрямители, фотоэлементы

СЕЛЕНОВАЯ АНОМАЛИЯ - уменьшение концентрации носителей заряда при нагревании?

???????ов; по прогнозам переход от кремния к углероду позволит увеличить тактовую частоту микропроцессоров на несколько порядков

БИНАРНОЕ СОЕДИНЕНИЕ - полупроводниковое химическое соединение, состоящее из двух элементов; классифицируют по металлоидному элементу: нитриды, фосфиды, арсениды и антимониды

АНТИМОНИД - бинарное соединение, содержащее сурьму

КАРБИД КРЕМНИЯ - бинарное полупроводниковое соединение SiC (единственное, состоящее из элементов четвертой группы); получают восстановлением кварцевого песка углеродом; монокристаллы до 1 см в поперечнике выращивают при температуре 2500°С в аргоне; рабочая температура до 700°С!; очень тверд, химически инертен (при комнатной температуре не взаимодействует ни с одной кислотой), не окисляется на воздухе до 1400°С; варисторы, светодиоды, транзисторы, терморезисторы...

АРСЕНИД ГАЛЛИЯ - GaAs - бинарное полупроводниковое соединение; очень большая ширина запрещенной зоны (1.4 эВ) и высокая подвижность электронов делают его пригодным для создания приборов, работающих при высоких температурах на высоких частотах: светодиоды, туннельные диоды, диоды Ганна, транзисторы, солнечные батареи; 1962 г.: инжекционный лазер

АНТИМОНИД ИНДИЯ - InSb - бинарное полупроводниковое соединение с малой шириной запрещенной зоны (0.17 эВ) и очень высокой подвижностью электронов; детекторы инфракрасной области, датчики Холла, термоэлектрические генераторы, тензометры...

АНТИМОНИД ГАЛЛИЯ - GaSb - бинарное полупроводниковое соединение, чрезвычайно чувствительное к механическим напряжениям; тензометры

ФОСФИД ГАЛЛИЯ - GaP - бинарное полупроводниковое соединение с широкой запрещенной зоной (2.5 эВ); светодиоды...

7.4. МАГНИТНЫЕ МАТЕРИАЛЫ

МАГНИТНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ МАТЕРИАЛА - намагниченность, магнитная восприимчивость и магнитная проницаемость, коэрцитивная сила, индукция насыщения, потери на перемагничивание, рабочие частоты...

НАМАГНИЧЕННОСТЬ - магнитный момент единицы объема материала: J=kH, где k - магнитная восприимчивость, Н - напряженность внешнего магнитного поля; измеряется, как и Н, в А/м; характеризует поведение материала в магнитном поле

МАГНИТНАЯ ВОСПРИИМЧИВОСТЬ - коэффициент пропорциональности между намагниченностью материала и напряженностью намагничивающего поля; для вакуума равна нулю

МАГНИТНАЯ ПРОНИЦАЕМОСТЬ - величина, на единицу большая магнитной восприимчивости: m=k+1; для вакуума равна единице

КОЭРЦИТИВНАЯ СИЛА - напряженность магнитного поля, которую надо приложить для размагничивания намагниченного до насыщения материала; у ферромагнетиков лежит в пределах от 0.1 до 1000000 А/м

КЛАССИФИКАЦИЯ МАГНИТНЫХ МАТЕРИАЛОВ осуществляется в зависимости от магнитной восприимчивости (магнитной проницаемости): диамагнитные, парамагнитные, ферромагнитные, антиферромагнитные и ферримагнитные материалы; в зависимости от коэрцитивной силы: магнитно-мягкие и магнитно-твердые