Електронні ключі (Глава 3 навчального посібника), страница 10

звідки зрозуміло, що час затримки вмикання зменшується, якщо знижувати паразитну ємність Свх, збільшувати стрибок напруги відчинення та запроваджувати безпосередній зв'язок між каскадами. В останньому випадку струм від джерела сигналу е перемикається то на заряджання ємності Свх, то до бази транзистора; протягом tз0 він залишається майже постійним, у середньому на рівні

                                                     (3.31)

тому

        ,

звідки

                                                                                            (3.32)

Фронт вмикання починається (момент t2), коли емітерний перехід відчиняється і вхідний опір транзистора стає малим. Через це вхідний струм перемикається до бази, сягаючи практично стрибком значення Iб1, напруга на базі фіксується на рівні Uпр» Uп, внаслідок чого величина Iб1 визначається за (3.10).

Кількість електронів, що виводяться до вхідного кола через базу за одиницю часу, при цьому пропорційна величині Iб1, а тих, що інжектуються з емітера до бази, пропорційна (h21e+1)Iб1. Решта електронів, пропорційна h21eIб1, поширюється внаслідок дрейфу та дифузії через базу до колектора й поступово біля нього зростає концентрація носіїв заряду. За позитивного потенціалу колектора відбувається екстракція (відбирання) електронів у зовнішнє коло, тому з’являється колекторний струм, який зростає плавно, у міру збільшення концентрації носіїв заряду біля колектора. При цьому транзистор опиняється в активному режимі, робоча точка рухається лінією навантаження (див. рис. 3.6,г) за траєкторією В-А-Н і коли (момент t3) вона потрапляє в положення Н, транзистор переходить до режиму насичення, колекторні струм і напруга  фіксуються на рівні Iк.н та Uк.н .

Згідно з (3.29) зростання колекторного струму відбувається експоненційно:

                                                                                      (3.33)

тому тривалість фронту вмикання дістанемо за (3.2), припускаючи iк(tп)=0, iк(tк)=Iк.н=h21eIб.н, iк(¥)=h21eIб1:

.

Аби зменшити фронт вмикання, необхідно зменшувати, як і для інших етапів перехідного процесу, сталу часу tbe=tb+(h21e+1)CкRк, тобто вибирати високочастотні транзистори з малим значенням tb=1/2pfb і з малою ємністю колекторного переходу Cк, а також збільшувати струм відчинення Iб1. У режимі великого сигналу, який забезпечується в багатьох випадках під час вмикання, виконується умова IбIб.н, тобто  S»1, тому згідно з (3.3)

                                                                                                                      (3.34)

Якщо досліджуваний ТК працює на схожий ключовий елемент, то останній почне перемикатися після моменту t2 по досягненні на виході uк порогової напруги Uп  через час

який за умови Е1»Uп  наближається до tф0. Тому з урахуванням інтервалу tз0 час затримки поширення під час вмикання становить

                                                                                             (3.35)

По входженні транзистора до режиму насичення (момент t3), відбувається процес нагромадження надлишкового заряду в його шарах, в основному, в базі, бо за одиницю часу з емітера інжектується й поширюється в базі кількість електронів, пропоційна h21eIб1, більша, ніж рекомбінується колекторним струмом: Iк.н<h21eIб1. Решта електронів, пропорційна за одиницю часу величині h21e(Iб1-Iб.н), утворює надлишковий заряд,  який на часовій діаграмі можна умовно  відобразити  позірним  колекторним струмом (на рис. 3.8 заштриховано). У момент t4 цей процес закінчується усталенням у транзисторі рівноважного заряду. На інтервалі (t3, t4) транзистор перебуває в режимі насичення, тому всі параметри його змінюються відносно активного режиму, зокрема, стала часу tbe у виразі (3.33), який тепер відображає позірний струм, приймає нове, усереднене значення tн, яке для бездрейфових транзисторів становить tн=(0,5...1)tb, а для дрейфових tн≥(1,5...2)tb, але час нагромадження має невелике практичне значення з точки зору споживача вихідного сигналу, тому можна вважати орієнтовно tн » tb та час нагромадження tн » (2...3)tн.