Розробка схеми підсилювача нижніх частот радіоприймача, страница 4

                     Отже всі транзистори вибрано правильно .

      2.6.Розрахунок співвідношення сигнал/шум .

     При проєктуванні багатокаскадних пристроїв розраховують напругу шуму лише першогокаскаду. Рівень шуму першого каскаду визначає  мінімальний рівень вхідного сигналу при заданому відношенні сигнал/шум на вході..

                            U_ш1=;

               R-опір о колі заслону.=100кОм.

                          U_ш2=

                          R_екв.ш==(0.75/0.006)=125Ом=0.125кОм

DF=19.997кГц-смуга робочих частот пристрою

          U_ш1==5.58мкВ

          U_ш2==0.197 мкА

         U_ш==5.6мкА

         V=20lg=100.6 дб

        Отже, після розрахунку відношення сигнал/шум було доведено,що умова задана в технічному завданні (>66дб) виконується.

2.7. Розподіл частотних та нелінійних спотворень по каскадах.

Розподіл частотних спотворень по каскадах виконується окремо для області високих і низьких частот

     2.7.1.Розподіл частотних спотворень в області ВЧ.

Частотні спотворення у області високих частот зумовлені декількома складовими:

2.7.1.1. Частотні спотворення   Мвт, що визначаються впливом транзистора:

Мвт=

 де , F_в-верхня частота робочого діапазону пристрою,

       f_S-гранична частота транзистора по крутості.                                        

Для транзисторівККП КТ814А ,КТ815А :

 Мвккп=»1,00065 (раз)=0.0065дБ

Для транзисторів ФІК КТ3102Д , КТ3107Д:

 Мвфік=»1,00003 (раз)=0.0003дБ

Для транзистора КТ3102А :

 Мвсе=»1,001 (раз)=0.01дБ

Для транзистора КП303Д :

 Мвсв=»1,00026 (раз)=0.0026дБ

2.7.1.2. Частотні спотворення  Мв_сх, що вносяться елементами схеми , дБ :

-для двотактної схеми ККП:

                                               Мв_сх=0,1 дБ

-для  фазоінвесного каскаду:

Мв_сх=0,1дБ

-для  попереднього каскаду із спільним емітером:

Мв_сх=0,15 дБ

-для вхідного каскаду з спільним колектором:

Мв_сх=0,1 дБ

Звідси загальна величина частотних спотворень:

Мв_(дБ)= Мв_1(дБ)+ Мв_2(дБ)+ Мв_3(дБ) + Мв_4(дБ)

               Мв_(дБ)=0,1+0,1+0,1+0,15+0.0065+0.0003+0.01+0.0026= 0,4694 дБ , що менше ніж в технічному завданні (   Мв_(дБ) £ Мвтз_(дБ)    ) .    

     2.7.2.Частотні спотворення в області низьких частот зумовлені наявністю у каскадах кіл , що впливають на коефіцієнт підсилення у області низьких частот , і орієнтовно можуть бути визначені для кожного каскаду :

-кінцевий каскад підсилення       М_н =0.08 дБ

-фазоінверсний каскад                 М_н =0,08 дБ

-резистивний підсилювальний каскад зі спільним емітером        М_н =0,07 дБ

- резистивний підсилювальний каскад зі спільним витоком  М_н =0,07 дБ

Отже частотні спотворення пристрою у області НЧ будуть:

Мн_(дБ)= Мн_1(дБ)+ Мн_2(дБ)+ Мн_3(дБ) + Мн_4(дБ)

Мн_(дБ)= 0.08+0.08+0.07+0.07=0.3 дБ

Значення частотних спотворень в області нижніх частот не  перевищує задані в технічному завданні вимоги.

    2.7.3.Розподіл нелінійних спотворень .

-на ККП та ФІК відводиться К_г=2+1=3 %

-на попередні каскади СЕ та СК : К_г=0.3+0.1=0.4 %

Тоді загальна величина нелінійних спотворень ПЗЧ становить:

                    К_н.заг=3+0.6=3.6%<4%;

Отже остаточна структурна схема має вигляд :

Рис.1.Структурна схема підсилювача .

2.8.Перевірка можливості застосування інтегральних мікросхем .

Для вихідного каскаду доцільно застосувати мікросхему TA7336P, що має такі параметри (додаток), які задовольняють іі використання в якості кінцевого каскаду підсилювача .За відомими параметрами визначається коефіцієнт підсилення мікросхеми по потужності :

,

 що менше від заданого в Т.З. на 11% , тобто є в межах норми .

Так як коефіцієнт підсилення по напрузі більший за потрібний , то можливо використати пасивний регулятор тембру .

Також потрібно щоб вхідний каскад підсилювача мав великий вхідний опір щоб не впливати на джерело сигналу та бути універсальним                       ( можливість застосування інших джерел сигналу, крім програвача компакт-дисків).  Крім вищеперечислених переваг (високий вхідний опір, великий коефіцієнт підсилення) він дозволяє реалізувати весь каскад підсилення на одній мікросхемі .

Так як всі параметри та частотні характеристики прийняті для мікросхеми при стандартному ввімкненні , тобто розробленим при розробці стандартної схеми ввімкнення .