Вибір принципової схеми підсилювача та розрахунок елементів, страница 3

Позначення	Розраховано	Вибрано
R1 (R19)	10 кОм	СП2-6В-10 кОм (спарений)
R2, R20	100 Ом	МЛТ-0.125-100 Ом ±5%   (Е24)
R3, R21	66 кОм	МЛТ-0.125-66.5 кОм ±1%   (Е96)
R4, R22	9 кОм	МЛТ-0.125-9.1 кОм ±5%   (Е24)
R5, R23	12.5 кОм	МЛТ-0.125-12.4 кОм ±1%   (Е96)
R6, R24	595 Ом	МЛТ-0.125-5.9 кОм ±1%   (Е96)
R7, R25	1.9 кОм	МЛТ-0.125-1.91 кОм ±1%   (Е96)
R8, R26	752 Ом	МЛТ-0.125-750 Ом ±5%   (Е24)
R9  (R27)	4.7 кОм	СП2-6В-4.7 кОм (спарений)
R10, R28	94 Ом	МЛТ-0.125-91 Ом ±5%   (Е24)
R11, R29	588 Ом	МЛТ-0.125-590 Ом ±1%   (Е96)
R12  (R30)	4.7 кОм	СП2-6В-4.7 кОм (спарений)
R13, R31	228.8 кОм	МЛТ-0.125-226 кОм ±1%   (Е96)
R14, R32	32.2 кОм	МЛТ-0.125-32.4 кОм ±1%   (Е96)
R15, R33	5.1 кОм	МЛТ-0.125-5.1 кОм ±5%   (Е24)
R16, R34	835 Ом	МЛТ-0.125-845 Ом ±1%   (Е96)
R17, R35	1.3 кОм	МЛТ-0.125-1.3 кОм ±5%   (Е24)
R18, R36	47.21 кОм	МЛТ-0.125-47.5 кОм ±1%   (Е96)
С1, C13	103.4 мкФ	К50-16-100 мкФ×15В  ±5%
С2, C14	2 мкФ	К50-16-2 мкФ×15В  ±5%
С3, C15	1.1 нФ	К50-5-1100 пФ×250 В ±5%
С4, C16	21 мкФ	К50-16-22 мкФ×25В  ±5%
С5, C17	6 мкФ	К50-16-6.8 мкФ×25В  ±5%
С6, C18	0.1 мкФ	К73-9-0,1мкФ´63В ±5%
С7, C19	0.8 мкФ	К73-9-0,82мкФ´63В ±5%
С8, C20	0.015 мкФ	К73-9-0,015мкФ´63В ±5%
С9, C21	0.12 мкФ	К73-9-0,12мкФ´63В ±5%
С10, C22	7.3 мкФ	К50-16-10 мкФ×25В  ±5%
С11, C23	0.82 мкФ	К73-9-0,82мкФ´63В ±5%
С12, C24	55.14 мкФ	К50-16-68 мкФ×50В  ±5%
С25	10.6 мкФ	К50-16-10 мкФ×50В  ±5%

Зміст

     Вступ….…………………………………….............……………………………....

     Розробка технічного завдання……................….………………………………....

1. Розрахунок структурної схеми пристрою...............................................................

1.1 Вибір  навантаження……………............................................................................

1.2. Вибір схеми каскадів кінцевого підсилення........................................................

1.3. Визначення корисної потужності, що забезпечується транзистором ККП......

1.4.Вибір транзисторів ККП.........................................................................................

1.5. Вибір транзисторів попередніх каскадів підсилення..........................................

1.6.Визначення загального коефіцієнта підсилення одного каналу пристрою за потужності......................................................................................................................

1.7.Визначення кількості каскадів підсилення...........................................................

1.8. Розрахунок відношення сигнал / шум..................................................................

1.9. Розподіл частотних і нелінійних спотворень по каскадам ................................

1.10 Структурна схема підсилювача ...........................................................................

2. Вибір  принципової схеми підсилювача та  розрахунок  елементів.....................                                           2.1. Вибір схеми.............................................................................................................

2.2. Електричний розрахунок каскадів підсилювача..................................................

2.3. Розрахунок пасивного регулятора тембру (з межами  ±15дб)...........................

2.4. Розрахунок регулятора підсилення.......................................................................

3. Загальна принципова схема підсилювача................................................................

4. Моделювання підсилювача НЧ на ЕОМ……...................................……………..

4.1. Частотні характеристики підсилювача.................................................................

4.2.  Вплив пасивного регулятора тембру на частотні характеристики...................

5. Порівняння результатів проектування з вимогами ТЗ……......................……….

    Висновок…………………….................………………………...…………....…….

    Література…………………………..................……………………………...……..

    Додаток………………………....................………………………………..……….