Розробка підсилювача низької частоти для відтворення магнітофона запису, страница 6

Rвх~(VT4,VT5)=Uδm(VT4,VT5)δм(VT4,VT5)=1.4B/0,15A=9,3Ом

2.1.6  Визначаємо величини опорів R2, R3

                R2=R3=(5…10)Rвх~(VT4,VT5)=5.9,3Ом=46,66 Ом

2.1.7  Знаходимо вхідний опір плеча змінному струму та колове значення вхідного струму транзистора VT4,(VT5)

          Rвх.пл~(VT4,VT5)= Rвх~(VT4,VT5).R2/ (Rвх~(VT4,VT5)+R2)=

          =9,3Ом.46,66Ом/(9,3Ом+46,66Ом)=7,75 Ом

        Iδ.max(VT4,VT5)=Uδm(VTT4,VT5)/Rвх.пл~(VT4,VT5)=1.4B/7,75Ом=0,18 А

2.1.8  Розраховуємо струм спокою транзисторів VT2, VT3

   Iko(VT2,VT3)=Iδo(VT4,VT5)+Iδo(VT4,VT5)/R2=0.03A+0.56B/46,66Ом=0.012А

2.1.9  Перевіряємо правильність вибору транзисторів VT2(VT3) за максимальним струмом

Iko(VT2,VT3)+ Iδ.max(VT4,VT5) ≤ Iк max доп(VT2,VT3)

0,012А+0,18А =0,19А≤1,5А

2.1.10  Розраховуємо режим транзисторів VT2,VT3 за  лінійним струмом і будуємо динамічну характеристику за змінним струмом

      Uk0(VT2,VT3)=0,5Ek-Uδ0(VT4,VT5)=0.5.28B-0.56B=13,44B

    Іkmin(VT2,VT3)=Ik0(VT2,VT3)+Iδmax(VT4,VT5)=0,012А+0,18А=0,19А

           Iδ0(VT2,VT3)=0,65мА        Uδо(VT2,VT3)=0.71B

           Iδ m(VT2,VT3)=5,25мА         Uδm(VT2,VT3)=1,2B

          Ukm(VT2,VT3)=Uk0(VT2,VT3) - Uk min(VT2,VT3)=24,38–2=11,44В

2.1.11  Знаходимо величини колекторного струму потужності, споживаної від джерела  живлення .

           I0(VT2,VT3)=0.32[Ikm(VT2,VT3)+ Ixo (VT2,VT3) .(π – 1)]=

           =0.32[0,19А+0,012А(π – 1)]=0,18А

           Po(VT2,VT3)=EkIo(VT2,VT3)=28.0,18=5,2 Bт

2.1.12  Визначаємо потужність, що розсіюється на колекторі транзистора VT2(VT3) , а також потужність , що розсіюється на резисторах R2,R3 та їх тип .

Pк(VT2,VT3)=[Po(VT2,VT3)-(Ukm(VT2,VT3)Ikm(VT2,VT3))/2]/2<Pk доп

Pк(VT2,VT3)= [5,2Bт – (11,44B – 0,19А)/2]/2=2,05Вт<10Вт

R3=R2: С2 – 23 – 2,5 – 43Ом±10%

2.1.13  Розраховуємо опір  змінному струму ділянки база-емітер транзистора

Rвх~(VT2,VT3)=Uδm(VT2,VT3)δм(VT2,VT3)=0.8В/0,00525А=152,4Ом

2.1.14  Знаходимо опір змінному струму верхнього (VT2,VT4) та нижнього (VT3,VT5) плеч складених повторювачів

Rвх верх= Rвх~(VT2,VT3)+ Rвх пл ~(VT4,VT5)Ikm(VT2,VT3)/ Іδм(VT2,VT3)+

+RHIkm(VT4,VT5)δм(VT2,VT3)=152,4Ом+7,75Ом.0,19А/0,00525А+

+4.3А/0,00525А=2718Ом

Rвх ниж= Rвх~(VT2,VT3)+ RН (VT4,VT5)Ikm(VT4,VT5)/ Іδм(VT2,VT3)=

=152,4Ом+4.3А/0,00525А=2438Ом

2.1.15  Визначаємо необхідну амплітуду напруги збудження , що знімається з опору навантаження RH1

Uзб= Uδm(VT2,VT3)+ Uкш(VT2,VT3)=12В+11,44В=12,64В

2.1.16  Визначаємо необхідну величину струму спокою транзистора VT1

Ik0VT1≥1.2[IkminVT1δм(VT2,VT3)=1.25[0,0004А+0,00525А]=0,0074А

2Ik0VT1≤ Ik мах доп

2*0,0074=0,0148А≤500мА

2.1.17  Розраховуємо опір резистора навантаження

RH1=0.4Ek/(Ik0VT1+2Іδ0(VT2,VT3))=

=0.4.28В/(0,0074А+2.0,00065А)=1287 Ом

RH1: С2 – 23 – 0.125 – 1,3кОм ±5%

2.1.18  Визначаємо необхідні величини опора R1, його тип :

R1= Uδo(VT2,VT3)/ (Ik0VT1δ0(VT2,VT3))=

=2.0,71B/(0,0074А+0,00065А)=176,4 Ом

RH1: С2 – 23 – 0.125-200 Ом±5%

2.1.19  Знаходимо величину колекторної  UкoVT1, та перевіряємо правільність її розрахунку.

UкoVT1к-(IкoVT1+2Іδ0(VT2,VT3).R1-2Uδ0(VT2,VT3)-ΔURe

ΔURe≈0.1Ek=0.12.28В=3,36 B

UкoVT1=28B-(0,0074А+2.0,00065А).176,4Ом-2.0.71В-3,36В≈24,8В

Перевіряємо достатність отриманої величини

UкoVT1≥Uзб+ Uk min VT1

24,5B≥12,64B+5B=18 B

2.1.20  Визначаємо необхідну величину ємності С та її тип

С ≥10…15/2πFHR1=12,5/2π.33Гц.176,4Ом=342мкФ

C: K50-35-100B-300мкФ±20%

2.1.21  Визначаємо потужність, розсійовану на колекторі транзистора

РUVT1=Ik0VT1UкoVT1- U2зб/2.RH1~=0,0074*24,5-12,442/2*847,6=0,09Вт<Pk

RH1~=1287Ом*2483Ом/(1287Ом+2483Ом)=847,6 Ом

2.1.22  Обчислюємо  коефіцієнт корисної дії підсилювача потужності

η=[Рвихк(Ik0(VT2,VT3)0(VT4,VT5))].100%=

=[18/28(0,18А+1,06А)].100%=53%

2.1.23  Розраховуємо коефіцієнт нелінійних спотворень підсилювача каскаду на транзисторах  VT4,VT5

а) Загальний коефіцієнт нелінійних спотворень складного кінцевого каскаду дорівнює сумі коефіцієнтів нелінійних спотворень каскадів на транзисторах VТ4 і VТ5 .  Розрахунок проводимо методом п’яти ординат: