Другие предметы \ Основы радиотехники

Розробка підсилювача низької частоти для відтворення магнітофона запису, страница 3

   Еж= 2 (Ö 2 Рвих. Rн + Uзал.) = 2 (Ö 2*18*4 +2 ) =28 B;                     

ІкmVT4(VT5) = 2Рвих. / (Ек/2-Uзал.) =  2*18/(28/2-2)=3 А < Ікмах.доп.= 10 А 

Частотні властивості біполярного транзистора в різних схемах ввімкнення характерезуються граничними частотами, величина яких повинна перевищувати

верхню граничну частоту підсилювача. Для схеми з СК за рахунок 100% від’ємного зворотнього зв’язку:

Fв < Fh21к = Fh21б(1+Y12* Rн)/(1+h21е min )                                

Fв=18000< 4.8*10*(1+4*4)/(1+15) = 5.1*10

Тобто вибраний транзистор задовільняє схему як по електричним так і по чостотним параметрам.

Для того щоб визначити тип транзистора VТ2 та VТ3 визначимо коефіцієнт підсилення по потужності каскаду на VТ4(VТ5). Так як він зібраний за схемою з СК, то:

                               Кр = 0,7*h21e min = 0,7*20 = 14 (11.4дб)                           

а відповідно вихідна потужність цього каскаду :

                     Рвих VT2(VT3) = Рвих.пл./ Кр = 9/ 14 = 0,643 Вт .

          Оскільки транзистори VТ2 та VТ3 працють з відсічкою колекторного струму, то потужність, розсіювана колектором :

                      Рк = ( 1.2...1.5 )* Рвих VT2(VT3)  < Рк.доп                                        

Рк=1,3*0,643=0,836 Вт

Амплітуда колекторного струму має перевищувати значення імпульсу базового струму VТ4(VТ5) приблизно в 2...4 рази:

Iк VT2(VT3) = (2…4)*Iвх VT4(VT5)                                                   

                     Івх VT4(VT5) = ІкmVT4(VT5) / h21e = 3/20 = 0,15 А .                        

Iк VT2(VT3)=3*0,15=0,45 А < Iк.доп

          Виходячи з приведених обчислень  в якості VТ2 та VT3  можна використати  транзистор  КТ81БВ та КТ815Б з слідуючими параметрами:

          Рк.доп. = 10 Вт ,   Ік.доп. = 1,5 А ,  h21e = 40 ,  Uк.доп.=40 В.

Для того щоб визначити тип транзистора VТ1 , визначимо коефіцієнт підсилення по потужності каскаду на VТ2(VТ3). Так як він зібраний за схемою з СК, то:

                               Кр = 0,7*h21e min = 0,7*40 = 28(14.5 дб)                        

а відповідно вихідна потужність цього каскаду :

          Рвих VT1 =2* Рвих VT2(VT3) / Кр = 2*0,857/ 28 = 0,061 Вт                    

Так як транзистор VT1 працює в режимі класу “A”, то потужність, що розсіюється на колекторі, повинна бути в 4..8 раза більшою за вихідну потужність, а колекторний струм в 2..4 раза більшим вхідного струму VT2 та VT4 тобто:

Рк = ( 4..8 )* Рвих VT1 < Рк.доп                                                          

Рк=4*0.061=0,244 Вт

Iк VT1  =  (2…4)*Iвх VT2(VT3)                                                         

          Івх VT2(VT3) = ІкmVT2(VT3) / h21e = 0.15/40 = 0,00375 А .                     

Iк VT2(VT3)=3*0,00375=0.011 А < Iк.доп

          Виходячи з приведених обчислень  в якості VТ1  можна використати транзистор  КТ503А з слідуючими параметрами:

Рк.доп. = 0.5 Вт  , Ік.доп. = 0,3 А ,  h21e = 40..120 , S0= 0,7 мА/В .

          Коефіцієнт підсилення за потужністю даного каскаду:

                     Кр = 0,3 *h21e min = 0,3*40 =  26.81 дб                     

          Загальний коефіцієнт підсилення за потужністю підсилювача потужності:

         Кр пп (дБ)= Кр VT! (дБ) + Кр VT2 (дБ) + Кр VT4 (дБ)                                                           Кр пп (дБ)=11,4 +14.5 +26.81 = 52.71 дб                                                                                                              

1.3 Визначення загального коефіцієнта підсилення каналу

за потужністю.

          Для знаходження загального коефіцієнта підсилення каналу за потужністю використовується вираз:

                     Кр (дБ)= 10 Lg Рвих.* а / Рдж. ,                                                   

де

                     Рдж. = Um.вх.2 / 2Rвих.дж. ,                                                      

          В якості джерела збудження використовується  магнітна головка унивесальна  3Д24.211 , яка має слідуючі параметри : Uвих. = 0,5 мВ ,         Rвих.дж. = 150 Ом ,   а звідси :

           Рдж=U2вих/2*Rвих.дж.=(0.5*10-3)2./2*150=8.3*10-10 Вт

Скачать файл