Базові елементи цифрових інтегрованих мікросхем (Глава 4 навчального посібника), страница 11

За однакових напруг e=Eо на входах ДК обидва транзистори відчиняються і при симетричній схемі через них протікають струми iк1=iк2=h21бIе/2 »Iе/2 та на виходах встановлюються напруги uк1=uк2»Eж-IеRк/2. Цей, збалансований щодо виходів еквівалентного мосту стан, відповідає зображувальній точці 1 на передатних характеристиках ДК (рис. 4.11,в). Під час зменшення напруги е відносно Eо на деяку малу величину Du опорне плече залишається відчиненим і напруги uбе2=Uпр та uе=Ео-Uпр – майже незмінними. Тому згідно з (4.16) величина uбе1=e-Uе зменшується, транзистор VT1 починає зачинятися, практично сталий струм Iе=iе1+iе2 перерозподіляється: iе1 зменшується, а iе2 збільшується, наслідок чого зниження рівня e спричиняє збільшення напруги uк1=Eж-iе1Rк1 та зменшення uк2=Еж-ie2Rк2. Отже, вихід керувального плеча є інверсним, а опо-  рного - прямим.

Якщо негативний приріст вхідної напруги сягає величини розхилу вхідної характеристики (див. рис. 3.6,в) DU=Uпр-Uбо»0,1...0,2 В, транзистор VT1 зачиняється і струм Iе повністю перемикається до транзистора VT2, що відповідає положенню 2 перемикача S на спрощенній еквівалентній схемі (див.рис. 4.11,б), на якій внутрішні опори транзисторів умовно позначено R1 та R2. Колекторні напруги uк1, uк2 при цьому набувають значення

                                             U1к»Eж; U0к»Eж-IеRк,                                                    (4.17)

якщо знехтувати спадом напруг на резисторах Rк1, Rк2, спричинених відгалуженням незначних струмів у навантаження. Такий стан ДК відображається точками 2, 3 на передатній характеристиці.

І, навпаки, під час перевищення вхідною напругою величини Eо транзистор VT1 відчиняється, напруга на його емітерному переході uбе1=Uпр лишається практично сталою, тому весь позитивний приріст De передається на емітер, і згідно з (4.16) напруга uбе2=Eо-uе зменшується, тобто транзистор VT2 починає зачинятися, а відтак, при досягненні позитивного приросту  De³DU весь струм Iе перерозподіляєься до транзистора VT1, тобто перемикач S на рис. 4.11,б опиняється в положенні 1. Колекторні напруги відповідно до (4.17) набувають протилежного значення (точки 4, 5 на рис. 4.11,в).

Таким чином, ДК підсилює диференційну напругу uд=e-Eо – різницеву між його входами. Якщо керувальна напруга e змінюється в межах не менше, ніж розхил вхідної характеристики транзистора DU, ДК працює в ключовому режимі і є перемикачем струму (ПС), бо емітерний струм Iе під дією сигналу e по черзі перемикається до транзисторів VT1 та VT2. З огляду на незначну величину навколопорогової зони DU пороговою напругою перемикання можна вважати значення Eо, вхідним рівнем лог. 1 – напругу e=U1>Eо+DU, що перевищує опорну напругу Eо на величину, не нижчу, ніж DU, а вхідним рівнем лог. 0 – напругу e=U0<Eо-DU, меншу за Eо на таку саму величину.

З метою підвищення швидкодії в ПС вибирається активний режим відчинених транзисторів. Для цього напруга Eо і вхідні логічні  рівні U0, U1 (див. рис. 4.11,в) мають бути нижчими, ніж колекторні напруги uк1, uк2, тоді колекторні переходи транзисторів ПС завжди зміщені в зворотному напрямку.

4.2.2. Основна схема

Керувальне плече ПС у складі БЕ ЕСЛ (рис. 4.12,а) утворюється транзисторами VT1.1, VT1.2 – за кількістю входів х1, х2 для реалізації логічної функції АБО, а опорне плече – транзистором VT2. Резистори R1, R2 призначені для певного зачинення незадіяних вхідних транзисторів, а також для стікання зворотного базового струму під час їх закривання, через це зайві входи БЕ ЕСЛ можна залишати вільними. Із колекторних навантажень ПС сигнали надходять до інверсного у1 та прямого у2 виходів (рис. 4.12,б) через емітерні повторювачі VT3, VT4, які для розширення функційних можливостей виконують без навантажень R3, R4 всередині БЕ. Резистори можна підімкнути зовні елемента, як зображено пунктиром, або іншим чином.