Розробка схеми підсилювача відтворення магнітофона, страница 4

          Зокрема для Рвих  до  10Вт              Uост = 3В

Отже для нашого пристрою Uост=3В, і відновідно Ек=31,3В виберемо Ек=2(+3)=24В

2.2.2. Розробка структурної схеми ПП на дискретних елементах із застосуванням біполярних транзисторів.

     По величині Рвих  визначається тип БПП. При Рвих>0,3Вт рекомендується застосування схеми БПП з додатковою симетрією плеч .

          Визначається величина корисної потужності, яка віддається транзистором одного плеча БПП:

Рпл= Рвих/2                              Рпл= 10 / 2 = 5Вт

Подпись: VT1

          Структурна схема безтрансформаторного підсилювача потужності з додатковою симетрією плеч має вигляд:


Рис.1.Структурна схема безтрансформаторного підсилювача потужності.

Визначення типу транзисторів потужності.

          Безтрансформаторна схема ПП з додатковою симетріею плеч має декілька транзисторів /рис 1/, різних за потужністю та за типом провідності, що зв’язано зі специфікою отримання результуючого сигналу на навантаженні і необхідністю узгодження вихідного опору плечей з низьким навантажувальним  опором .

           Так як транзистори VТ4,VТ5 є потужними транзисторами одного типу провідності , і  сумісно з VТ3,VТ2  різної провідності, являють собою схеми емітерних повторювачів /нижче плече/, працюючі з відсічкою колекторного струму, близькою до 90 градусів, тому вибирати ці транзистори потрібно лише для одного плеча, вважаючи їх ввімкнення за схемою зі спільним колектором.

Тому спочатку визначається потужність втрат на колекторі транзистора VТ4(VT5) :

Рк = Р т.пл.( 1-h )/h

де h- коефіцієнт корисної дії БПП для режиму класу В може бути обраний у межах 45…60%.

Рк= 5(1-0,5)/0,5 = 5 Вт

Вибираємо транзистор для кінцевого каскаду виходячи з умов:

             Eк £ (0,7…0,8)Uк

Uк.е.доп.\0.7..0.8=24В\0.8=30В

Визначаємо максимальний струм колектора для транзистора VT4(VT5),

Ік.допІк.мк.0,

Де Ік.м-амплітуда імпульсу колекторного струму

Ік.м=2*Рвих.\(Ек\2-Изал.)=2*10/(24\2-3)=2.22А

Ік.0,-струм в робочій точці

Ік.0,=(0.05-0.15)*Ік.м=0.1*2.22=0.22А

Ік.доп2.44А

За довідником [3] вибираємо  транзисторГТ705 з наступними параметрами:

Рк т.мах = 15Вт ,  Uк.доп.=30 В ,  Ік.доп.=2.44А ,  h21е = 50,  fгр = 10КГц, Ск=60 пФ,

tк=100 пс, S0 = 350 mА/В

          Проведемо перевірку частотних властивостей обраних транзисторів.

Частотні властивості біполярного транзистора, в різних схемах ввімкнення, прийнято характеризувати граничними частотами, значення яких не повинні перевищувати верхню граничну частоту пристрою:

          -для схеми зі спільним емітером       Fв fh21e ;

         -для схеми зі спільним колектором   Fв fY21e(1+S0 *Rн) ;

де fh21e-гранична частота передачі струму у схемі зі спільним емітером;

fY21e- гранична частота транзистора за крутістю у схемі зі спільним емітером;

S0- крутість транзистора в робочій точці.

          Величина fY21e розраховується по формулі:

,

да r’б – об’ємний опір бази.

          fгр- гранична частота передачі струму у схемі зі спільним емітером, на якій модуль коефіцієнта передачі струму дорівнює 1.

fh21б= m* fгр ,

де m=1,6 – для дрейфових дифузійних транзисторів.

fh21б=150КГц

          Cк- ємність колекторного переходу транзистора

          tк-стала часу

r’б= tк/ Cк

r’б=100/60=1,67 Ом

fY21e=4,8/(1,67*1)=2,87 МГц

10000£360000

          Проводимо перевірку транзисторів по струму, для чого визначається амплітуда імпульсу колекторного струму :

          Іm = 2Рвих. / (Ек/2-Uост) = 2*5/(24/2-3)  = 3.5 < Ікмах.доп.= 2,5 А

          Визначимо коефіцієнт підсилення по потужності каскаду на VТ4(VТ5). Оскільки він зібраний за схемою з СК, то:

                                         Кр = 0,7h21e = 0,7*50 = 35 (раз)

Кр.дб=10lgKp=10lg*28=15.4(дб)

а відповідно вхідна потужність цього каскаду :

Рвх.VT4(VT5) = Рвих.пл./ Кр = 5/35  = 0,15Вт

.

          Оскільки транзистори VТ2 та VТ3 працюють з відсічкою колекторного струму, то потужність, яка розсіюється колектором кожного з них :

Рк  ( 1,2...1,5 ) Рвх = 1,5*0,15=0,214  Вт