fY21e(КТ3102Б)=2880/(14,3×0,3)=671 (МГц)
тоді
Мв т(КТ3102Б)=
=1,000000001 (раз) »0 (дБ)
Мв т(КТ315В)=
=1,000000001 (раз) »0 (дБ)
Частотні спотворення, які вносяться елементами схеми складають:
– для резистивного каскаду зі спільним емітером:
Mв сх(КТ3102Б)=0,3 (дБ)
Mв сх(КТ315В)=0,3 (дБ)
Звідки загальні частотні спотворення на верхніх частотах складає:
Mв(дБ)=Мв.т(дБ)+Мв.сх(дБ)=0+0+0,3+0,3=0,6 (дБ)
Частотні спотворення в області низьких частот зумовлені наявністю у каскаді кіл , що впливають на коефіцієнт підсилення у області низьких частот, і орієнтовно можуть бути визначені для кожного каскаду:
– резистивний підсилювальний каскад зі спільним емітером Мн =0,6…1,2 дБ
Отже частотні спотворення пристрою у області НЧ будуть:
Мн(дБ)=Мн1(дБ)+Мн2(дБ)
Мн(дБ)=0,8+0,8=1,6 (дБ)
Для визначеної кількості каскадів умови:
Мв(дБ)£Мв тз(дБ)
Мн(дБ)£Мнтз(дБ)
виконуються, отже кількість підсилювальних каскадів обрана вірно.
Нелінійні спотворення розподіляються по каскадам слідуючим чином: основну частину нелінійних спотворень вносить КПП, тому на всі попередні каскади виділяється приблизно 0,9%, а інші на ККП, для даного пристрою за умовою ТЗ закладаємо 0,5%.
2.9 Розробка структурної схеми
В основу розробки структурної схеми підсилювача запису магнітофона покладемо дані які отримали у процесі розрахунку.
Регулювання рівня запису введемо безпосередньо після каскаду попереднього підсилення, перед каскадом кінцевого підсилення. А після каскаду кінцевого підсилення вводиться схема навантаження.
Структурна схема підсилювача наведена на рис.2.
 |
Рис.2. Структурна схема підсилювача запису магнітофона на дискретних елементах.
2.10 Обгрунтування можливості використання ІМС
Виходячи з результатів розрахунків структурної схеми пристрою на дискретних елементах, розглянемо можливість побудови пристрою на ІМС, що може дати цілий ряд переваг.
Усі розроблені каскади на транзисторах VT1 i VT2 можна замінити на імпортний стерео підсилювач запису ВА3312N.
Дана мікросхема застосовується в нашому випадку без тепловідводу.
Розглянемо параметри мікросхеми ВА3312N:
|
Заміна мікросхемою дасть одразу декілька переваг:
1) простота наладки, монтажу та більш висока надійні4сть при експлуатації
2) розміри та маса зменшаться, а це дуже важливо для переносного підсилювача.
3) покращені електричні параметри
4) при такій розробці схеми відпадає необхідність в застосуванні каскадів попереднього та кінцевого підсилення, вони реалізуються на цій мікросхемі повністю.
Забразимо сруктурну схему підсилювача запису магнітофона на ІМС ВА3312N на рис.3.
 |
||
 |
||
Рис.3. Сруктурна схеми ПЗ магнітофона на ІМС.
3. Електричний розрахунок каскадів підсилювача
3.1. Розрахунок підсилювального каскаду
Так, як сучасні схемотехнічні рішення У якості каскаду підсилення використаємо ІМС ВА3312N зі стандартною схемою включення. Його схема включення буде мати вигляд на рис.4.
Rвх=62 (кОм)
Кг= 0,5%
КU= 85 (дБ)
Рис.4. Типова схема включення ВА3312N.
Номінали елементів:
С1=С2=10 мкФ R1=R3=R4=100 Ом
С3=22 мкФ R2=1 МОм
С4=100 мкФ R5=R6=2,7 кОм
С5= С6=47 мкФ R9=R10=10 кОм
С7= С8=3300 пФ R7=R8=100 кОм
С9=С10=1 мкФ
Визначимо амплітуду вхідної напруги:
Оскільки обрана мікросхема вмикається по типовій схемі, то потрібно розрахувати розділову ємність С1=С2.
Значення розділової ємності розраховується по формулі:
0,64×10-7 (Ф),
де Мн=1,6 (дБ)=1,202 (раз)
Уважаемый посетитель!
Чтобы распечатать файл, скачайте его (в формате Word).
Ссылка на скачивание - внизу страницы.