Разработка аналоговой части проектируемых устройств, страница 13

* Двухплощадочный фотодиод.   

        ** Четырехплощадочный фотодиод

Фоторезисторы. Работа фоторезистора основана на эффекте фотопроводимости. При отсутствии облучения через прибор протекает небольшой (темновой) ток, обусловленный начальным (темновым) сопротивлением. При облучении лучистым потоком F ток через фоторезистор увеличивается пропорционально ~ F1/2. Фоторезисторы  уступают фотодиодам по быстродействию (τ >10-4 с), однако благодаря высокой чувствительности и невысокой стоимости они широко используются в средствах автоматизации. Наибольшее применение получили фоторезисторы на основе сульфида кадмия CdS и селенида кадмия CdSе. Первые имеют спектральный диапазон чувствительности от 0.3 до 0.9 мкм, перекрывая таким образом  видимую часть длин волн. Максимум спектральной чувствительности вторых соответствует длине волны излучения  светодиодов  и  лазерных  диодов  на  основе  GaAs  (от  0.6  до 0.9 мкм). В табл. 2.5 приведены некоторые сведения об отечественных фоторезисторах на основе CdS и CdSе (последние отмечены знаком *).

                                                                                                Таблица 2.5

Фото-

резистор

Размер фотопри-емной части,

мм

Рабочее напря-жение Uр, В,

не более

Темновое сопротив-ление Rт, МОм,

не менее

Отношение темнового сопротивле-ния к све-товому, о.е.

Максимальная мощность излучения Pmax, мВт,

не более

 ФСК-Г1

 4.0 ×7.2

  50

    3.3

 100

125

 ФСК-П1

 2.0 ×6.0

100

100.0

1000

150

 СФ2-1

 0.5 ×1.5

  15

  15.0

  500

  50

 СФ2-8

 Æ 5.8

150

100.0

1000

125

 СФ3-1*

 0.5 ×1.5

 15

  30.0

1500

  10

 СФ3-8*

 2.0 × 5.8

 20

  20.0

  500

  25