Вопросы по дисциплине «Физика твердого тела»

Страницы работы

Содержание работы

Вопросы по дисциплине  «Физика твердого тела»

(осенний семестр 2010/11 учебного года)

  1. Фазовый переход в сверхпроводящее состояние. Нулевое сопротивление.
  1. Сверхпроводящие материалы.
  1. Эффект Мейсснера. Сверхпроводники I и II рода. 
  1. Уравнения Лондонов. Глубина проникновения магнитного поля. 
  1. Физическая природа сверхпроводящего состояния: изотопический эффект.
  1. Физическая природа сверхпроводящего состояния: теплоемкость и оптические свойства. 
  1. Элементы микроскопической теории сверхпроводимости: электрон-фононное взаимодействие и куперовские пары. 
  1. Элементы микроскопической теории сверхпроводимости: конденсат куперовских пар и одночастичные возбуждения. 
  1. Элементы микроскопической теории сверхпроводимости: основные количественные результаты. 
  1.  Феномен Купера.
  1.  Парамагнетики в магнитном поле. Формулы Ланжевена и Бриллюэна
  1.  Парамагнетизм Паули. 
  1.  Фазовые переходы в магнитоупорядоченных кристаллах.
  1.  Феноменологическая теория фазовых переходов II рода: разложение Ландау, намагниченность и восприимчивость.   
  1.  Феноменологическая теория фазовых переходов II рода: свободная энергия и теплоемкость.
  1.   Феноменологическая теория фазовых переходов I рода.
  1.   Трикритическая точка.
  1.   Модели Изинга и Гейзенберга. Метод самосогласованного поля.
  1. Работа выхода электрона. Ток термоэлектронной эмиссии. Контакт двух металлов. Контактная разность потенциалов. Электронное сродство.
  1.  Контакт металла с полупроводником. Энергетическая диаграмма. Барьер Шоттки, высота барьера. Обедненный слой, емкость обедненного слоя. Силы изображения (эффект Шоттки).
  1.  Транспорт носителей заряда (вольт-амперная характеристика) контакта металл-полупроводник: теория термоэлектронной эмиссии, диффузионная теория.
  1.  Транспорт носителей заряда (вольт-амперная характеристика) контакта металл-полупроводник: рекомбинация в области пространственного заряда, инжекция неосновных носителей заряда, туннельный ток,  омический контакт. Обратная ветвь ВАХ.
  1.  Контакт двух полупроводников, p-n гомопереход. Энергетическая диаграмма. Резкий p-n переход Область пространственного заряда. Емкость области пространственного заряда. Плавный p-n переход.
  1.  Вольт-амперная характеристика идеального p-n-перехода. Диффузионный ток. Формула Шокли.
  1.  Вольт-амперная характеристика реального p-n-перехода. Токи генерации и рекомбинации. Высокий уровень инжекции, сопротивление квазинейтральной области. Туннельный диод.
  1. Гетеропереходы. Анизотипные и изотипные гетеропереходы их энергетические диаграммы. Модель Андерсона, разрывы зон. Области пространственного заряда.   Примеры применения гетеропереходов.
  1. Свойства диэлектриков, активные диэлектрики.
  2. Поляризация диэлектриков.
  3. Основные механизмы поляризации диэлектриков.
  4. Сегнетоэлектрики и их физические свойства.
  5. Сегнетоэлектрический фазовый переход.
  6. Сегнетоэлектрические фазовые переходы 1 и 2 рода.
  7. Спонтанная поляризация и ее температурная зависимость.
  8. Аномалии диэлектрической проницаемости.
  9. Микроскопические модели сегнетоэлектриков, сегнетоэлектрики типа смещения и типа «порядок-беспорядок».
  10. Описание сегнетоэлектрических фазовых переходов в рамках феноменологической теории Ландау: разложение свободной энергии по степеням параметра порядка.

Похожие материалы

Информация о работе