1.4.7
Выходим из
программы. В меню выбираем File -> Exit.
Пункт 2: Расчёт транзистора с применением дрейф-диффузионной модели.
2.1
Из папки
/home/user/templates (в неё можно зайти с помощью ярлыка Домой на рабочем
столе) скопируйте в папку с проектом командный файл DD_des.cmd и откройте его для редактирования.
2.2
В секции File
параметру Grid необходимо присвоить имя файла сгенерированного программой Sentaurus
Structure Editor
(это было сделано в п. 1.4.6). В нашем примере это будет выглядеть так:
Grid= "lab2_msh.tdr "
2.3
В секции Electrode
необходимо задать начальные значения напряжений на электродах и барьер Шоттки
на затворе. В нашем примере это будет выглядеть так :
Electrode {
{ Name="source" Voltage= 0.0 }
{ Name="drain" Voltage= 0.0
}
{ Name="gate" Voltage=0.0
Schottky Barrier=0.78}
}
2.4
В секции Physics
необходимо написать следующее:
Physics{
eQCvanDort
EffectiveIntrinsicDensity( OldSlotboom
)
Mobility(
DopingDep
eHighFieldsaturation( GradQuasiFermi )
hHighFieldsaturation( GradQuasiFermi )
Enormal
)
Recombination(
SRH( DopingDep )
)
}
Значение, написанных выше команд, рассмотрено в
Приложении 1.
2.5
В секции Solve
необходимо задать конечные значения напряжений на стоке и на затворе,
соответственно. Для этого находим комментарий *-second gate voltage Vgs=-1.0V
и ниже задаём напряжение на затворе -1В. В нашем примере это выглядит так: Goal
{ name="gate" voltage= -1.0}. Далее необходимо задать конечное
напряжение на стоке. Для этого находим комментарий *- second curve и ниже задаём напряжение стока 3В. В нашем
примере это выглядит так: Goal{ name="drain" voltage= 3.0}.
2.6
Сохраняем
изменения в файле. В командной строке набираем sdevice DD_des.cmd и нажимаем Enter. При этом Sentaurus Device
потребуется некоторое время для того, чтобы закончить вычисления.
2.7
Результаты можно
посмотреть и сохранить в jpeg формате
в программе Tecplot.
Пункт 3: Расчёт транзистора с применением гидродинамической модели.
3.1
Из папки
/home/user/templates (в неё можно зайти с помощью ярлыка Домой на рабочем
столе) скопируйте в папку с проектом командный файл HD_des.cmd и откройте его для редактирования.
3.2
В секции File
параметру Grid необходимо присвоить имя файла сгенерированного программой Sentaurus
Structure Editor
(это было сделано в п. 1.4.6). В нашем примере это будет выглядеть так:
Grid= "lab2_msh.tdr "
3.3
В секции
Electrode необходимо задать начальные значения напряжений на электродах и
барьер Шоттки на затворе. В нашем примере это будет выглядеть так :
Electrode {
{ Name="source" Voltage= 0.0 }
{ Name="drain" Voltage= 0.0
}
{ Name="gate" Voltage=0.0
Schottky Barrier=0.78}
}
3.4
В секции Physics
необходимо написать следующее:
Physics{
Hydrodynamic( eTemperature )
Mobility ( DopingDep Enormal
eHighFieldsat(CarrierTempDrive)
hHighFieldsat(GradQuasiFermi) )
Recombination( SRH(DopingDep)
eAvalanche(CarrierTempDrive)
hAvalanche(Eparallel) )
EffectiveIntrinsicDensity (BandGapNarrowing
(OldSlotboom))
}
Значение, написанных выше команд, рассмотрено в
Приложении 2.
3.5
В секции Solve
необходимо задать конечные значения напряжений на стоке и на затворе,
соответственно. Для этого находим комментарий *-second gate voltage Vgs=-1.0V
и ниже задаём напряжение на затворе -1В. В нашем примере это выглядит так: Goal
{ name="gate" voltage= -1.0}. Далее необходимо задать конечное
напряжение на стоке. Для этого находим комментарий *- second curve и ниже задаём напряжение стока 3В. В нашем
примере это выглядит так: Goal{ name="drain" voltage= 3.0}.
