Парамет­ры биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером, страница 10

12.Используя данные таблиц 1 и 2, построить входные и выходные ВАХ транзистора в схеме с ОЭ.

13.По полученным характеристикам определить -параметры транзисто­ра в точке А( mA,  В).

14.По результатам работы сделать выводы и занести их в отчет.

5. КОНТРОЛЬНЫЕВОПРОСЫ.

1. Каковы преимущества и недостатки схемы с ОЭ по сравнению со     схемой с ОБ?

2. Как объяснить вид входных и выходных статических характеристик транзистора, включенного по схеме с ОЭ?

3.  Почему коэффициент  значительно сильнее зависит от тока эмиттера и температуры, чем коэффициент ? .

4.  Почему транзистор, включенный по схеме с ОЭ может обеспечить усиление по току?           

5.  Для транзистора с ОЭ в цепи коллектора включен резистор 100 Ом и источникнапряжения +100 В, а в цепи базы — резистор 300 Ом и ис­точник напряжения +30 В. В каком режиме работает транзистор:ак­тивном или насыщения, если известно,что коэффициент передачи тока базы равен 50.

6.  Почему напряжение пробоя транзистора в схеме с ОЭ меньше чем в
схеме с ОБ?

7.  Каким образом напряжение пробояв схеме с ОЭ зависит от режима
работы эмиттерного перехода?

8.Как ВАХ транзисторав схемес ОЭ зависят от температуры?

 9.Чем отличаются ВАХ транзисторав схемах с ОЭ и ОБ?

 10.Какопределить -параметры в схеме с ОЭ?

ЛИТЕРАТУРА.

1. Тугов Н.М., Глебов Б.А., ЧарыковН.А. Полупроводниковые приборы.
   - М.:Энергоатомиздат, 1990. - 575 с.

2. Пасынков В.В., ЧиркинЛ.К. Полупроводниковые приборы. - М.:
Высшаяшкола, 1987. - 479 с.

3.  Булычев А.Л., Прохоренко В.А. Электронные приборы. - Минск: Выс-­
шая школа, 1987. - 316 с.