Электронные полупроводниковые приборы, страница 27

Рис. 3.21 Зависимости относительных значений коэффициентов усиления по току от частоты при включении транзисторов по схемам с общим эмиттером и с общей базой

Здесь  - коэффициент усиления по току на нулевой частоте.

Предельной частотой усиления по току (или ) называется частота, при которой коэффициент усиления по току (или ) уменьшается в  раз (на 3 дБ) по отношению к своему значению на низких частотах. На рис. 3.21 показано определение предельной частоты для транзистора, включенного по схеме с О. Б. () и с О. Э. ().

2. Максимальная частота генерации. При построении автогенераторов (устройств, способных самовозбуждаться и создавать периодические колебания при отсутствии внешнего входного сигнала) необходимо, чтобы коэффициент усиления по мощности транзистора был больше единицы. Когда коэффициент усиления по мощности будет меньше единицы  (при К_р < 1), транзистор вырождается в пассивный четырехполюсник. При частоте выше предельной частоты усиления по току в определенном интервале частот транзистор обладает коэффициентом усиления по мощности  больше единицы. В этом интервале частот он может использоваться для построения автогенераторов.

Максимальной частотой генерации () называется такое значение частоты, при которой транзистор еще способен генерировать колебания в схеме автогенератора.Максимальная частота определяется по формуле:

В этой формуле в зависимости от схемы включения в качестве предельной частоты   берется  для схемы включения О. Б. или  для схемы включения О. Э. и определяется  для соответствующей схемы включения.

3. Обратный ток коллектораI_ко - ток через p – n переход коллектора при обратном напряжении на коллекторном переходе. Он имеет место в транзисторе при нулевом базовом токе.

4. Ёмкость коллекторного перехода С_к - измеряется между выводами коллектора и базы при разомкнутой цепи коллектора и имеет значение от единиц до сотен пикофарад. Коллекторная емкость негативно сказывается на показателях работы транзистора, как в усилительном, так и ключевом режимах.

5. Допустимая мощность рассеивания коллектора -  () мощность, рассеиваемая транзистором и создающая такой тепловой режим, при котором не изменяются электрические свойства транзистора.

                       3.2.8 Составной биполярный транзистор.

В ряде схемных решений коэффициент усиления транзистора по току, даже в схеме с О. Э. оказывается недостаточным. Для повышения коэффициента усиления используется такое соединение двух транзисторов, которое рассматривается как один транзистор и называется составной транзистор (рисунок 3.22).

    Рисунок 3.22 – Схема составного биполярного транзистора

Коллекторы этих транзисторов соединены, а эмиттер первого транзистора подключен к базе второго. Рассмотрим в приращениях связи между токами транзисторов и найдем, как выражается коэффициент усиления составного транзистора через коэффициенты усиления каждого из них. Как видно из рисунка 3.22, составной транзистор включен по схеме с общим эмиттером, поэтому коэффициент усиления его по току будет определяться соотношением: