Электронные полупроводниковые приборы, страница 26

Параметр  так же определяется по семейству входных статических характеристик. Это параметр определяется при условии, что ток базы не изменяется. Для этого выбирается значение тока базы, близкое к рабочему значению и проводится горизонтальная линия до пересечения с вольтамперными характеристиками. Берутся две точки на двух характеристиках (точки 3 и 4) и для них находим  (как показано на рисунке). Величина  определяется, как разница коллекторных напряжений, при которых сняты В.А.Х. с точками 3 и 4:

Отношение найденных приращений напряжений даёт значение

-коэффициента усиления по напряжению.

Параметр  определяется с помощью семейства выходных статических характеристик, при неизменном значении напряжения на коллекторе. Поэтому отмечаем напряжение  и проводим вертикальную линию до пересечения с вольтамперными характеристиками. Выбираем две характеристики с которыми пересекалась эта вертикаль (точки 1 и 2). Каждой из этих точек соответствует определённый коллекторный ток. Вычитая из большого значения коллекторного тока меньшее значение определяем величину  . Каждая из характеристик, на которой лежат точки 1 и 2 снималась при определённых значениях токов базы. Вычитая из большего меньшее значение тока базы находим . В нашем случае:

Берём отношение найденных приращений токов и находим значение - коэффициент усиления тока.

Определение  так же осуществляется с помощью семейства выходных статических характеристик. Этот параметр определяется при неизменном значении тока базы  . Для определения  выбирает одна характеристика из семейства выходных характеристик, снятая при определённом значении тока базы . Для примера выбрана характеристика, снятая при базовом токе . На этой характеристике выбираем отрезок (точки 3 и 4). Этому отрезку соответствует определённое приращение коллекторного тока   и определённое приращение коллекторного напряжения . Берём отношение этих величин и находим .

Электрические параметры транзистора:

1. Предельная частота усиления по току. С увеличением частоты ухудшаются усилительные свойства транзистора по току – коэффициент усиления по току уменьшается. Это объясняется инерционностью носителей заряда и наличием барьерных емкостей в p-n переходах. Так как с увеличением частоты сопротивление конденсатора уменьшается, то барьерные емкости с увеличением частоты закорачивают отдельные участи цепи. В схемах замещения транзисторов, включенных по схеме с О.Б. и с О.Э.,  барьерная емкость коллекторного перехода подключена параллельно генератору тока. С увеличением частоты уменьшается сопротивление этой емкости и часть тока генератора замыкается на барьерной емкости, что ведёт к уменьшению тока коллектора. В схеме включения транзистора с О. Э. процесс уменьшения коэффициента усиления по току усугубляется еще тем, что эмиттерная  барьерная емкость включена параллельно входной цепи (смотрите схему замещения рисунок 3.19) и с увеличением частоты закорачивает её. Поэтому снижение коэффициента усиления по току в схеме с О. Э. происходит на более низких частотах, чем в схеме с О. Б. На рисунке 3.21 показаны зависимости относительных значений коэффициентов усиления по току от частоты при включении транзисторов по схемам с О. Э. и с О. Б..