Статические ВАХ транзистора в схеме с ОБ. Схемы замещения транзисторов. Усилители эл. сигналов. Характеристики и параметры усилителей. Обратные связи в усилителях. Генераторы синусоидальных колебаний, страница 4

В схеме б база тр-ра не заземлена по переменному I ч/з конденсатор большой емкости Сб. Вх сигнал подается на резисторе R, относит-но общей шины. Uвых снимается с кол-ра. В схеме а резисторы Rк и Rэ задают токи покоя след обр: Iкп=(Eк-Uкбп)/Rк;  Iэп=(Eэ-Uэбп)/ /Rэ. Напряжение Еэ берется порядка единиц В. Поэтому Еэ>>Uэбп и Iэ≈Eэ/Rэ и сущ-но не меняется при смене тр-ра и изменении темп-ры окружающей среды, что обеспечи-вает стабиль-ность Iк, т.к. Iк=αIэ+Iкбо, т.е. схема а имеет боль-шую темп-ую стабильность. При подаче на вход U полож-ой полярности, Uэб возрастает, след-но возрастают Iэ и Iк. При па-дении U на рез-ре Rк Uк ув-ся, а потенциал кол-ра относит-но общей шины становится менее отриц-ым, след-но U на кол-ре имеет положит приращение, т.о. фазы вх и вых сигналов сов-падают. Началь-ный режим схемы, т.е. точки покоя, выбирает-ся по семействам вх и вых хар-тик. Эквивал схема ус с ОБ для области ср частот имеет вид: (в, г).

Для упрощения анализа в схеме в преобразуем, заменив зависимый генератор  αIэ, зашу-нтированный резистором rк≈1 МОм, идеальным генератором αеIэ, где αе=α(rк/(rк+ +Rкн)), схема примет вид, приведенный на рис г.

Rвых относ-но зажимов тр-ра: rвых=Uвх/Iвх=Uвх/Iэ=1/Iэ(Iэrн+Iбrб)=1/Iэ[Iэrн+Iэ(1-αe)rб]=rн+rб(1-αe). При работе ус с токами в ед-цы мА (микрорежим) rвх резко увел-ся, т.к. rэт/Iэ. При норм-х токах эм-ра в ед-цы мА rвх растет с увел-ем Rкн. Когда Rкн→∞, αе→0 и тогда rвх=rвхmax=rб+rэ. Для Iк=0, т.е. когда Rкн=∞, rвх для схемы с ОБ будет = rвх для схемы с ОЭ, а связь м/у ними для Iк≠0 можно установить, разделив обе части выражения для rвх с ОБ (rвхоб) на вел 1/(βe+1)=1-αе, тогда: rвхоэ/(βe+1)=rб/(βe+1)+rэ=rвхоб.

Rвых на зажимах рез-ра нагрузки Rн опр-ся величиной кол-го резистора Rк, т.е. Rвых≈Rк.

Вывод: Ус с ОБ при Iэ>>1мА имеет малое Rвх порядка десятков Ом  Ri<1. Ku>>1, если Rкн>>rвх, Rвых со стороны зажимов нагрузки Rвых≈Rк, Uвх и Uвых совпадают по фазе.

27. Ус по схеме с ОК. Принципиальная(а) и эквивал(б) схема ус с ОК для обл-ти сред частот имеет вид:

В схеме с ОК резис-торы Rб и Rэ задают токи в режиме покоя. U вх сигнала пода-ется м/у базой и общей шиной, а вых снимается м/у эм-ром и общей шиной. Кол-р по перемен I заземлен ч/з малое для перем I Rвнутр источника питания и явл-ся общей точкой для вх и вых цепей. В следствие такой подачи сигнала в схеме сущ-ет ООС по U-ю с коэф передачи æu=1, т.к. Uбэ управляющее I тр-ра опр-ся разностью Uвх и Uвых: Uбэ=Uвх-Uос=Uвх-Uвых. Наличие Uос по напряжению опр-ет осн-е пар-ра ус по схеме с ОК. При подаче положит-го приращения вх сигнала на базу тр-ра отн-но общей шины, Iб, Iк и Iэ умен-ся, ум-ся также падение Uна Rэ по абсол вел-не, т.е. Uвых схемы. Т.о. приращение вых сигнала имеет положит полярность. Схема с ОК не инвертирует фазу усиленного сигнала.

Осн пар-ры ус: 1. rвх=Uвх/Iб, где   Uвх=Iб∙rб+ +Iэ[(rэ+Rэн)║rк*]=Iбrб+ +Iб(β+1)∙[rк*║(rэ++Rэн)] откуда rвх=rб+ +(β+1)∙[rк*║(rэ+Rэн)], обычно rк*>>(rэ+Rэн), а Rэн>>rэ, поэтому выраж для rвх можно упростить: rвх≈rб+(β+1)Rэн . Пренебрегая первым слагаемым и учитывая, что  β>>1, получим: rвх≈βRэн . С ростом Rен  увел rвх, но при больших Rэн необ-мо учитывать rк*: rвх=β(Rэн║rк*). Если Rэн>>rк*, то rвх=βrк*, что в свою оче-редь прим-но равно rк=0,5-2 мОм. Это max возможная вел-на rвх в схеме с ОК. С учетом резистора Rвх схемы, применяют не-посредственную связь каскада: Rвх=rвх║Rб. Для увел Rвх схемы применяют непосред-ную связь каскада источником сигнала (без резистора Rб), либо искусственно повышают Rб. 2.  Коэф ус-я по I. При rк*>>Rэн Ki=Iвых/Iвх=Iэ/Iб=β+1. 3. Коэф ус-я по U. При rк*>>Rэн , rэ<<Rэн  то KU=Uвых/Uвх=IэRэн/Iбrвх= (β+1)Rэн/rвх= =[(β+1)Rэн]/[rб+(β+1)Rэн]. Из этой ф-лы видно, что KU≈1, но меньше ее. В связи с тем, что в схеме с ОК U на вых повторяет вх сигнал по вел и фазе, эту схему наз эммиторным повторителем. Коэф ус-я по U по отношению к ЭДС генер-ра вх сигнала  KUг=Uвых/Eг=Uвых/Uвх∙Uвх/Eг=[(β+1)Rэн/rвх]∙[(Rб║rвх)/Rг+Rб║rвх]= [(β+1)Rэн/rвх]∙[Rвх/(Rг+Rвх)]. Видно, что наличие Rг снижает КUг. 4. Rвых зависит от R источника сигнала и м/б найдена при rк*>>R′г , R′г=Rг║Rб по ф-ле: Rвых=rэ+(Rг′+rб)/(β+1), отсюда вид-но, что R′вых мало и увел-ся с ростом R′г. При больших значе-ниях R′г необх-мо учитывать влияние rк*: Rвых=Rэ║[(R′г+rб)/ /(β+1)]║rк*+rэ]. Предельное знач Rвых в схеме с ОК будет при R′u→∞, оно=: Rвых≈Rэ║rк*≈Rэ, при Rэ<1кОм. 5. Кр=KU∙Ki≈Ki, т.е. КРок<<КРоэ. Вывод: схема с ОК имеет высокое Rвх (ед-цы-десятки кОм). Rвых при обычных Rг мало (десятки Ом). Фазы вз и вых U совпадают  Кр≈Кi. Схема имеет стабильную вел-ну КU≈1 и большой диапазон вх сигнала за счет 100% ООС по U.

28. Многокаскадные ус-ли с R-C связью. Схема 2каскадного ус с R-C связью на тр-рах, включенных по схеме с ОЭ

 Резисторы Rэ предназначены для термостабилизации каска-дов. Их шунтирование конденсаторами Cэ не позволяет ум-ся коэф усиления по перем I. Схема задания потенциала базы с помощью делителя U (R1,R2) наз схемой с фиксир-ым потен-циалом базы. Расчет эл-тов ус ведется из условия обеспечения требуемых значений Ki, Ku, Rвх, Rвых, коэф нелин-х искажений Кг в заданной полосе частот делителя от fн до fв при заданных коэф частотных искажений Мн и Мв. Величины емкостей раз-делительных конденсаторов Ср1, Ср2, Ср3 и конд-ров в цепях эм-ов Сэ1, Сэ2 выбираются такими, чтобы в полосе рабочих частот их R было очень мало и им можно было пренебречь. В общем случае включение разделит конд-ов приводит к сниже-нию коэф ус-я в обл НЧ. С умен-ем частоты усиливаемого сиг-нала, R конденсаторов Сэ увел-ся. Это приводит к появлению заметного падения U от перем-ой составляющей I, являющим-ся U ООС, что снижает Кu ус. В обл ВЧ необх-мо учитывать снижение β с увел-ем частоты, ум-ие емкостного R кол-го пе-рехода, а также емкость нагрузки Сн. АЧК ус с RC связью имеет вид