Лабораторная работа № 1, усилители низкой частоты на транзисторах, страница 4

3.   Каскад критичен к замене транзистора.

Основные параметры схемы определяются выражениями:

R_ВХ = r_б + (1 + b)(r_к^* || R_Э || R_Н);

                  (1 + b)(r_к^* || R_Э || R_Н)

К_U = ѕѕѕѕѕѕѕѕѕѕѕѕѕ ;

          R_Г + r_б + (1 + b)(r_к^* || R_Э || R_Н)

                          R_Г               R_Э || R_К^*

К_I = (1 + b) ѕѕѕѕ Ч ѕѕѕѕѕѕѕ .

                      R_Г + R_ВХ    (R_Э || r_к^*) + R_Н

Эквивалентные схемы каскада с ОК показаны на рис. 7: а) область средних частот; б) область верхних частот. В области нижних частот каскад имеет характеристики, аналогичные каскаду с ОЭ.

Обычно транзисторные УНЧ работают в режиме класса А, и возникающие нелинейные искажения имеют малые значения. Однако величина нелинейных искажений, оцениваемая К_Г - коэффициентом гармоник, может существенно возрасти с увеличением значения входного сигнала или неправильным выбором положения рабочей точки. На рис. 8 приведен пример появления значительных нелинейных искажений в каскаде с ОБ при заданном входном напряжении.

ПОРЯДОК ВЫПОЛНЕНИЯ РАБОТЫ.

1.   Собрать схему первого каскада УНЧ. Для этого (рис. 9) подключить R_Г к С₁ и к выходу Т₁ подключить С₈.

2.   Снять амплитудную характеристику каскада U_ВЫХ = f (U_ВХ) при f - const ; R_Г = 0; R_НMAX и R₁ в среднем положении. f = 1 кГц; U_ВХ = 0 ё 200 мВ.